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2SK1611 Fabricado cerca: |
V (DSS): 800V; silicio de canal N powe F-MOS FET. Para la conmutación de alta velocidad, para la amplificación de potencia de alta frecuencia | Transferencia Directa 2SK1611 datasheet de Panasonic |
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2SK1610 | Vista 2SK1611 a nuestro catálogo | 2SK1612 |