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| 30KW108A Fabricado cerca: | 
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 | 108.00V; 5 mA; potencia de impulso 15000W pico; cristal pasivado unión supresor de tensión transitoria. Para aplicaciones bipolares Otros con el mismo archivo para el datasheet: 30KW132A, 30KW120A, 30KW120, 30KW108, 30KW102A, |
Transferencia Directa 30KW108A datasheet de MDE Semiconductor |
pdf 169 kb |
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