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Opinión todos los datasheets de Intersil4.0A y 5.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,8 y 1,2 ohmios/N-Canal

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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A. Transferencia Directa IRF221 datasheet de
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Opinión todos los datasheets de Samsung ElectronicMOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal Transferencia Directa IRF221 datasheet de
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IRF2204SVista IRF221 a nuestro catálogoIRF222



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