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IRF232 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF233, IRF231, IRF230, |
Transferencia Directa IRF232 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 165 kb |
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MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF633, IRF632, IRF631, IRF230-233, |
Transferencia Directa IRF232 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 182 kb |
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8.0A y 9.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,4 y 0,6 ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF232 datasheet de Intersil |
pdf 74 kb |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF232 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 217 kb |
IRF231 | Vista IRF232 a nuestro catálogo | IRF233 |