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Opinión todos los datasheets de Samsung ElectronicMosfet de la ENERGÍA Del N-canal

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Samsung Electronic
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Opinión todos los datasheets de Fairchild SemiconductorMOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-Canal

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Fairchild Semiconductor
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Opinión todos los datasheets de General Electric Solid StateN-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 16A. Transferencia Directa IRF243 datasheet de
General Electric Solid State
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Opinión todos los datasheets de Intersil16A y 18A, 200V y 150V, 0.18 y 0.22 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia Transferencia Directa IRF243 datasheet de
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IRF242Vista IRF243 a nuestro catálogoIRF244



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