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IRF431 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 450V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4,5 A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF430, IRF433, IRF432, |
Transferencia Directa IRF431 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
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4.0A y 4,5 A, 450 V y 500 V, 1,5 y 2,0 ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Transferencia Directa IRF431 datasheet de Intersil |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF431 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 216 kb |
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Energía A MOSFETs/4,5/450V/500V Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF833, IRF831, IRF832, IRF430-433, |
Transferencia Directa IRF431 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 146 kb |
IRF430-433 | Vista IRF431 a nuestro catálogo | IRF432 |