|
| Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
|
Salto rápido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRFF311 Fabricado cerca: |
MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. Tensión drenaje-fuente 350 V. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRFF310, |
Transferencia Directa IRFF311 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 76 kb |
IRFF310 | Vista IRFF311 a nuestro catálogo | IRFF312 |