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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
12SA1235A200mW SMD transistor PNP, máxima calificación: -50V VCEO, -200mA Ic, 150 a 500 hFE. Mejorar en 2SA1235Isahaya Electronics Corporation
22SA1282PARA LA ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USOIsahaya Electronics Corporation
32SA1282PARA LA ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USOIsahaya Electronics Corporation
42SA1282APARA LA ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USOIsahaya Electronics Corporation
52SA1282APARA LA ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USOIsahaya Electronics Corporation
62SA1283SILICIO PNP 2SA1283Isahaya Electronics Corporation
72SA1283SILICIO PNP 2SA1283Isahaya Electronics Corporation
82SA1284900MW de plomo transistor PNP marco, máxima calificación: -100V VCEO, -500mA Ic, 55-300 hFE. 2SC3244 ComplementariaIsahaya Electronics Corporation
92SA1285PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE PRE-DRIVEIsahaya Electronics Corporation
102SA1285PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE PRE-DRIVEIsahaya Electronics Corporation
112SA1285APARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE PRE-DRIVEIsahaya Electronics Corporation
122SA1285APARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE PRE-DRIVEIsahaya Electronics Corporation
132SA1286TIPO PEQUEÑO MOTOR, TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE LA IMPULSIÓN DEL ÉMBOLOIsahaya Electronics Corporation
142SA1286TIPO PEQUEÑO MOTOR, TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE LA IMPULSIÓN DEL ÉMBOLOIsahaya Electronics Corporation
152SA1287PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAISIsahaya Electronics Corporation
162SA1287PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAISIsahaya Electronics Corporation
172SA1363500mW SMD transistor PNP, máxima calificación: -16V VCEO, -2A Ic, 150 a 800 hFE. 2SC3443 ComplementariaIsahaya Electronics Corporation
182SA1364TRANSISTOR DEL SILICIO PNPIsahaya Electronics Corporation
192SA1364TRANSISTOR DEL SILICIO PNPIsahaya Electronics Corporation
202SA1365PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO PNP DELUSO DE LA IMPULSIÓNIsahaya Electronics Corporation
212SA1365PARA EL TIPO EPITAXIAL ARRIBA ACTUAL DEL SILICIO PNP DELUSO DE LA IMPULSIÓNIsahaya Electronics Corporation
222SA1366150mW SMD transistor PNP, máxima calificación: -50V VCEO, -400mA Ic, 90-500 hFE. 2SC3441 ComplementariaIsahaya Electronics Corporation
232SA13682SA1368Isahaya Electronics Corporation
242SA13682SA1368Isahaya Electronics Corporation
252SA1369PARA EL TIPO PEQUEÑO MOTOR, TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE LA IMPULSIÓN DEL ÉMBOLOIsahaya Electronics Corporation
262SA1369PARA EL TIPO PEQUEÑO MOTOR, TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE LA IMPULSIÓN DEL ÉMBOLOIsahaya Electronics Corporation



272SA1398900MW de plomo transistor PNP marco, máxima calificación: -20V VCEO, -700mA Ic, 150 a 800 hFE. 2SC3580 ComplementariaIsahaya Electronics Corporation
282SA1399TRANSISTOR DEL SILICIO PNPIsahaya Electronics Corporation
292SA1399TRANSISTOR DEL SILICIO PNPIsahaya Electronics Corporation
302SA1530APARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DELSILICIO PNP DEL USOIsahaya Electronics Corporation
312SA1530APARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DELSILICIO PNP DEL USOIsahaya Electronics Corporation
322SA1602PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DELSILICIO PNP DEL USO (MINI TIPO ESTUPENDO)Isahaya Electronics Corporation
332SA1602PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DELSILICIO PNP DEL USO (MINI TIPO ESTUPENDO)Isahaya Electronics Corporation
342SA1928EL SILICIO PNP SE DOBLA TRANSISTORIsahaya Electronics Corporation
352SA1928EL SILICIO PNP SE DOBLA TRANSISTORIsahaya Electronics Corporation
362SA1944PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAISIsahaya Electronics Corporation
372SA1944PARA EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO DE LA FUENTE DE ALIMENTACIÓN DE LA IMPULSIÓN DEL RELAISIsahaya Electronics Corporation
382SA1945PARA EL ALTO TIPO EPITAXIAL ACTUAL DE FINES GENERALES DEL SILICIO PNP DEL USO DE LA IMPULSIÓNIsahaya Electronics Corporation
392SA1945PARA EL ALTO TIPO EPITAXIAL ACTUAL DE FINES GENERALES DEL SILICIO PNP DEL USO DE LA IMPULSIÓNIsahaya Electronics Corporation
402SA1946500mW SMD transistor PNP, máxima calificación: -20V VCEO, -700mA Ic, 150 a 800 hFE. 2SC5212 ComplementariaIsahaya Electronics Corporation
412SA1947PARA LA ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USOIsahaya Electronics Corporation
422SA1947PARA LA ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USOIsahaya Electronics Corporation
432SA1948TRANSISTOR DE SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
442SA1948TRANSISTOR DE SMALL-SIGNALIsahaya Electronics Corporation
452SA1989Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial Uitra Nini Estupendo Del Silicio PNP Del UsoIsahaya Electronics Corporation
462SA1989Para La Frecuencia Baja Amplifique El Tipo Epitaxial Uitra Nini Estupendo Del Silicio PNP Del UsoIsahaya Electronics Corporation
472SA1993PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO MICROIsahaya Electronics Corporation
482SA1993PARA LA FRECUENCIA BAJA AMPLIFIQUE EL TIPO EPITAXIAL DEL SILICIO PNP DEL USO MICROIsahaya Electronics Corporation
492SA1995450 mW plomo transistor PNP marco, máxima calificación: -50V VCEO, -100mA Ic, 120-560 hFE.Isahaya Electronics Corporation
502SA1998600mW plomo transistor PNP marco, máxima calificación: -20V VCEO, -2A Ic, 150 a 500 hFE.Isahaya Electronics Corporation

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