| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1147121 | SSUR3160R | Raddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns) | Microsemi |
| 1147122 | SSUR70120 | Raddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns) | Microsemi |
| 1147123 | SSUR70120R | Raddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns) | Microsemi |
| 1147124 | SSUR7140 | Raddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns) | Microsemi |
| 1147125 | SSUR7140R | Raddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns) | Microsemi |
| 1147126 | SSUR7160 | Raddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns) | Microsemi |
| 1147127 | SSUR7160R | Raddrizzatore ultra veloce (di meno che 100ns) | Microsemi |
| 1147128 | SSW-108 | DC - 4 GHz ad alto isolamento (32dB a 2GHz) Interruttore di GaAs MMIC SPDT. | Stanford Microdevices |
| 1147129 | SSW-124 | DC - alto isolamento 6 GHz (42dB a 2GHz, 30 dB a 6 GHz) Interruttore di GaAs MMIC SPDT. | Stanford Microdevices |
| 1147130 | SSW-208 | DC - 4 GHz ad alto isolamento (22dB a 2GHz) Interruttore di GaAs MMIC SPDT. | Stanford Microdevices |
| 1147131 | SSW-224 | DC - alto isolamento 6 GHz (40dB a 2GHz, 30 dB a 6 GHz) Interruttore di GaAs MMIC SPDT. | Stanford Microdevices |
| 1147132 | SSW-308 | DC - 3 GHz a basso costo interruttore di GaAs MMIC SPDT. | Stanford Microdevices |
| 1147133 | SSW-408 | DC - 4 GHz ad alta potenza interruttore di GaAs MMIC SPDT. | Stanford Microdevices |
| 1147134 | SSW-424 | DC - 6 GHz ad alta potenza interruttore di GaAs MMIC SPDT. | Stanford Microdevices |
| 1147135 | SSW-508 | DC - 8 GHz Switch GaAs MMIC SPST. | Stanford Microdevices |
| 1147136 | SSW-524 | Interruttore DC-8 GHz GaAs MMIC SPST | Stanford Microdevices |
| 1147137 | SSW10N60B | Mosfet Della N-Scanalatura 600V | Fairchild Semiconductor |
| 1147138 | SSW10N60BTM | B-B-fet Della N-Scanalatura 600V | Fairchild Semiconductor |
| 1147139 | SSW1N50B | Mosfet Della N-Scanalatura 520V | Fairchild Semiconductor |
| 1147140 | SSW1N50BTM | B-b-fet della N-Scanalatura 500V/sostituto di SSW1N50A | Fairchild Semiconductor |
| 1147141 | SSW1N60B | Mosfet Della N-Scanalatura 600V | Fairchild Semiconductor |
| 1147142 | SSW1N60BTM | B-b-fet della N-Scanalatura 600V/sostituto di SSW1N60A | Fairchild Semiconductor |
| 1147143 | SSW2N60B | Mosfet Della N-Scanalatura 600V | Fairchild Semiconductor |
| 1147144 | SSW2N60BTM | B-b-fet della N-Scanalatura 600V/sostituto di SSW2N60A | Fairchild Semiconductor |
| 1147145 | SSW4N60B | Mosfet Della N-Scanalatura 600V | Fairchild Semiconductor |
| 1147146 | SSW4N60BTM | B-b-fet della N-Scanalatura 600V/sostituto di SSW4N60A | Fairchild Semiconductor |
| 1147147 | SSW7N60B | Mosfet Della N-Scanalatura 600V | Fairchild Semiconductor |
| 1147148 | SSW7N60BTM | B-b-fet della N-Scanalatura 600V/sostituto di SSW7N60A | Fairchild Semiconductor |
| 1147149 | ST | Condensatori bagnati con la guarnizione ermetica, CARATTERISTICHE del tantalio di SuperTan®: Capacitą molto alta, 10 a 1800µF, 25 a 125VDC, -55°C a + 125°C, esr molto basso ed alta corrente dell'ondulazione | Vishay |
| 1147150 | ST-114 | ST-114 Intersil HSP50214 Downconverter Scheda di valutazione | Intersil |
| 1147151 | ST-1CL3H | Fototransistore del silicone di sensibilitą NPN del transistors(high della foto montato) | Kondenshi Corp |
| 1147152 | ST-1KA | I fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto hanno montato in bene durevole) | Kondenshi Corp |
| 1147153 | ST-1KB | I fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto hanno montato in bene durevole) | Kondenshi Corp |
| 1147154 | ST-1KL3A | I fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto hanno montato in bene durevole) | Kondenshi Corp |
| 1147155 | ST-1KL3B | I fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto hanno montato in bene durevole) | Kondenshi Corp |
| 1147156 | ST-1KLA | Transistori Della Foto | Kondenshi Corp |
| 1147157 | ST-1MLA | Fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto montati) | Kondenshi Corp |
| 1147158 | ST-1MLAR2 | Fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto montati) | Kondenshi Corp |
| 1147159 | ST-1MLB | Fototransistori del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto montati) | Kondenshi Corp |
| 1147160 | ST-23G | Il fototransistore del silicone di transistors(high-sensibilitą NPN della foto ha montato in una radura che sidelooking) | Kondenshi Corp |
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