| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 250961 | BC637 | Transistore Per tutti gli usi | Korea Electronics (KEC) |
| 250962 | BC637 | Transistore di Af Del Silicone di NPN | Infineon |
| 250963 | BC637 | TRANSISTORI DEL SILICONE | Micro Electronics |
| 250964 | BC637 | Transistori di AF del silicone di NPN (alta alta corrente di collettore di guadagno corrente) | Siemens |
| 250965 | BC637 | Alti Transistori Correnti | Motorola |
| 250966 | BC637 | Alto Transistore Corrente | ON Semiconductor |
| 250967 | BC637 | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 1.000A Ic, 40-160 hFE | Continental Device India Limited |
| 250968 | BC637 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Vcer = 60V, VCES = 60V, Vceo = 60V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
| 250969 | BC637-16 | Transistori di alimentazione medi di NPN | Philips |
| 250970 | BC637-16 | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 1.000A Ic, 25 - hFE | Continental Device India Limited |
| 250971 | BC637_D26Z | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250972 | BC637_D27Z | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250973 | BC637_D75Z | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250974 | BC637_L34Z | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250975 | BC638 | Transistori di alimentazione medi di PNP | Philips |
| 250976 | BC638 | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250977 | BC638 | Transistore Per tutti gli usi | Korea Electronics (KEC) |
| 250978 | BC638 | Transistore di Af Del Silicone di PNP | Infineon |
| 250979 | BC638 | TRANSISTORI DEL SILICONE | Micro Electronics |
| 250980 | BC638 | Transistori di AF del silicone di PNP (alta alta corrente di collettore di guadagno corrente) | Siemens |
| 250981 | BC638 | Alti Transistori Correnti | Motorola |
| 250982 | BC638 | Plastica PNP Del Silicone Del Transistore | ON Semiconductor |
| 250983 | BC638 | Scopo 0.800W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 1.000A Ic, 40-160 hFE | Continental Device India Limited |
| 250984 | BC638 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Vcer = -60V, VCES = -60V, Vceo = -60V, Vebo = -5V, Pc = 1W, Ic = -1 bis. | USHA India LTD |
| 250985 | BC638-10 | Scopo 0.800W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 1.000A Ic, 25 - hFE | Continental Device India Limited |
| 250986 | BC638-10 | PNP transistor di potenza medio | Philips |
| 250987 | BC638-16 | Transistori di alimentazione medi di PNP | Philips |
| 250988 | BC638-16 | Scopo 0.800W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 1.000A Ic, 25 - hFE | Continental Device India Limited |
| 250989 | BC638BU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250990 | BC638TA | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250991 | BC638TF | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250992 | BC638TFR | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250993 | BC638ZL1 | Plastica PNP Del Silicone Del Transistore | ON Semiconductor |
| 250994 | BC639 | Transistori di alimentazione medi di NPN | Philips |
| 250995 | BC639 | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250996 | BC639 | TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE MEDIO PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Zetex Semiconductors |
| 250997 | BC639 | Transistore di Af Del Silicone di NPN | Infineon |
| 250998 | BC639 | TRANSISTORI DEL SILICONE | Micro Electronics |
| 250999 | BC639 | Transistori di AF del silicone di NPN (alta alta corrente di collettore di guadagno corrente) | Siemens |
| 251000 | BC639 | Alti Transistori Correnti | Motorola |
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