| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 26241 | 1N5534B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26242 | 1N5534B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26243 | 1N5534B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26244 | 1N5534B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 14,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26245 | 1N5534B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26246 | 1N5534B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26247 | 1N5534BUR-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26248 | 1N5534C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26249 | 1N5534C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26250 | 1N5534D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26251 | 1N5534D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26252 | 1N5535 | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26253 | 1N5535 | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26254 | 1N5535 | RENDIMENTO ELEVATO DEI DIODI ZENER DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE: RUMORE BASSO, PERDITA BASSA | Knox Semiconductor Inc |
| 26255 | 1N5535A | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26256 | 1N5535A | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 15,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -10% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26257 | 1N5535B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26258 | 1N5535B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26259 | 1N5535B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26260 | 1N5535B | Uso generale Al piombo Del Diodo Zener | Central Semiconductor |
| 26261 | 1N5535B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 15,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26262 | 1N5535B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26263 | 1N5535B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26264 | 1N5535BUR-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26265 | 1N5535C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26266 | 1N5535C | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26267 | 1N5535D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26268 | 1N5535D | DIODI DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE 0.4cW | Jinan Gude Electronic Device |
| 26269 | 1N5536 | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26270 | 1N5536 | RENDIMENTO ELEVATO DEI DIODI ZENER DELLA VALANGA DI BASSA TENSIONE: RUMORE BASSO, PERDITA BASSA | Knox Semiconductor Inc |
| 26271 | 1N5536 | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 16,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -20% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26272 | 1N5536A | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26273 | 1N5536A | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 16,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -10% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26274 | 1N5536B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26275 | 1N5536B | Valanga Zener Di Bassa Tensione | Microsemi |
| 26276 | 1N5536B | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26277 | 1N5536B | 0,4 W, a bassa tensione diodo valanga. Tensione Zener nominale 16,0 V. Corrente di prova 1.0 mAcc. + -5% Di tolleranza. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26278 | 1N5536B-1 | CARATTERISTICHE D'INVERSIONE BASSE DI PERDITA | Compensated Devices Incorporated |
| 26279 | 1N5536B-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
| 26280 | 1N5536BUR-1 | Bassa Tensione Avalanche Zener | Microsemi |
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