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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
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401699EN29LV800memoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
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401716EN29LV800Jmemoria istantanea dell'istantaneo del settore del caricamento del sistema di memoria di 8 megabit (1024K x 8-bit/512K x a 16 bit), CMOS 3,0 Volt-soltantoEon Silicon Solution
401717EN29LV800JB-70T8 Megabit (1024K x 8-bit / 512 K x 16 bit) Memoria Flach. Boot memoria flash settore, CMOS 3,0 volt soltanto. 70ns velocitŕ. Settore inferiore.Eon Silicon Solution
401718EN29LV800JB-70TI8 Megabit (1024K x 8-bit / 512 K x 16 bit) Memoria Flach. Boot memoria flash settore, CMOS 3,0 volt soltanto. 70ns velocitŕ. Settore inferiore.Eon Silicon Solution
401719EN29LV800JB-90T8 Megabit (1024K x 8-bit / 512 K x 16 bit) Memoria Flach. Boot memoria flash settore, CMOS 3,0 volt soltanto. 90ns velocitŕ. Settore inferiore.Eon Silicon Solution
401720EN29LV800JB-90TI8 Megabit (1024K x 8-bit / 512 K x 16 bit) Memoria Flach. Boot memoria flash settore, CMOS 3,0 volt soltanto. 90ns velocitŕ. Settore inferiore.Eon Silicon Solution
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