No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
42921 | 28LV256SM-4 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns. | Turbo IC |
42922 | 28LV256SM-5 | Velocitą: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42923 | 28LV256SM-5 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns. | Turbo IC |
42924 | 28LV256SM-6 | Velocitą: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42925 | 28LV256SM-6 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns. | Turbo IC |
42926 | 28LV256TC-3 | Velocitą: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42927 | 28LV256TC-3 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns. | Turbo IC |
42928 | 28LV256TC-4 | Velocitą: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42929 | 28LV256TC-4 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns. | Turbo IC |
42930 | 28LV256TC-5 | Velocitą: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42931 | 28LV256TC-5 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns. | Turbo IC |
42932 | 28LV256TC-6 | Velocitą: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42933 | 28LV256TC-6 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns. | Turbo IC |
42934 | 28LV256TI-3 | Velocitą: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42935 | 28LV256TI-3 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns. | Turbo IC |
42936 | 28LV256TI-4 | Velocitą: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42937 | 28LV256TI-4 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns. | Turbo IC |
42938 | 28LV256TI-5 | Velocitą: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42939 | 28LV256TI-5 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns. | Turbo IC |
42940 | 28LV256TI-6 | Velocitą: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42941 | 28LV256TI-6 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns. | Turbo IC |
42942 | 28LV256TM-3 | Velocitą: 200 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42943 | 28LV256TM-3 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 200 ns. | Turbo IC |
42944 | 28LV256TM-4 | Velocitą: 250 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42945 | 28LV256TM-4 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 250 ns. | Turbo IC |
42946 | 28LV256TM-5 | Velocitą: 300 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42947 | 28LV256TM-5 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 300 ns. | Turbo IC |
42948 | 28LV256TM-6 | Velocitą: 400 ns, bassa tensione CMOS 256 K cancellabile elettricamente 32K ROM programmabile x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42949 | 28LV256TM-6 | CMOS a bassa tensione. 256K ROM programmabile cancellabile elettricamente. 32K x 8 bit EEPROM. Tempo di accesso 400 ns. | Turbo IC |
42950 | 28LV64 | 64CK-BIT CMOS EEPROM PARALLELO | Catalyst Semiconductor |
42951 | 28LV64A | Il prodotto di Note:This č diventato 'disusa 'e pił non č offerto poichč un dispositivo possibile per design.28LV6Ā č 64K una punta il CMOS EEPROM parallelo organizzata come parole 8K da 8 bit. Il 28LV6Ā č raggiunto come una RAM statica p | Microchip |
42952 | 28LV64A-20/L | 64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8) | Microchip |
42953 | 28LV64A-20/P | 64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8) | Microchip |
42954 | 28LV64A-20/SO | 64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8) | Microchip |
42955 | 28LV64A-20/TS | 64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8) | Microchip |
42956 | 28LV64A-20/VS | 64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8) | Microchip |
42957 | 28LV64A-20I/L | 64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8) | Microchip |
42958 | 28LV64A-20I/P | 64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8) | Microchip |
42959 | 28LV64A-20I/SO | 64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8) | Microchip |
42960 | 28LV64A-20I/TS | 64K (bassa tensione CMOS EEPROM di 8K x 8) | Microchip |
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