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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
435561GA1F4N-T2Transistore ibridoNEC
435562GA1F4ZTRANSISTORE del TIPO Incorporato NPN di VELOCITĄ del RESISTORE MEDIO di COMMUTAZIONENEC
435563GA1F4Z-T1Transistore ibridoNEC
435564GA1F4Z-T2Transistore ibridoNEC
435565GA1L3MTRANSISTORE del TIPO Incorporato NPN di VELOCITĄ del RESISTORE MEDIO di COMMUTAZIONENEC
435566GA1L3M-T1Transistore ibridoNEC
435567GA1L3M-T2Transistore ibridoNEC
435568GA1L3NTRANSISTORE del TIPO Incorporato NPN di VELOCITĄ del RESISTORE MEDIO di COMMUTAZIONENEC
435569GA1L3N-T1Transistore ibridoNEC
435570GA1L3N-T2Transistore ibridoNEC
435571GA1L3ZTRANSISTORE del TIPO Incorporato NPN di VELOCITĄ del RESISTORE MEDIO di COMMUTAZIONENEC
435572GA1L3Z-T1Transistore ibridoNEC
435573GA1L3Z-T2Transistore ibridoNEC
435574GA1L4LTRANSISTORE del TIPO Incorporato NPN di VELOCITĄ del RESISTORE MEDIO di COMMUTAZIONENEC
435575GA1L4L-T1Transistore ibridoNEC
435576GA1L4L-T2Transistore ibridoNEC
435577GA1L4MTRANSISTORE del TIPO Incorporato NPN di VELOCITĄ del RESISTORE MEDIO di COMMUTAZIONENEC
435578GA1L4M-T1Transistore ibridoNEC
435579GA1L4M-T2Transistore ibridoNEC



435580GA1L4ZTRANSISTORE del TIPO Incorporato NPN di VELOCITĄ del RESISTORE MEDIO di COMMUTAZIONENEC
435581GA1L4Z-T1Transistore ibridoNEC
435582GA1L4Z-T2Transistore ibridoNEC
435583GA200Raddrizzatore Controllato Del SiliconeMicrosemi
435584GA200ARaddrizzatore Controllato Del SiliconeMicrosemi
435585GA200HS60SMetą-Ponticello (standard) IGBT di 600V Dc-1 chilociclo in un pacchetto Interno-Un-PakInternational Rectifier
435586GA200NS61Utaglio S IGBT di 600V UltraFast 10-30 chilociclo Hs in un pacchetto Interno-Un-PakInternational Rectifier
435587GA200SA60S600V Dc-1 chilociclo singolo IGBT (standard) in un pacchetto Sot-227International Rectifier
435588GA200SA60U600V UltraFast 10-30 chilocicli scelgono IGBT in un pacchetto Sot-227International Rectifier
435589GA200TD120UMetą-Ponticello IGBT di 1200V UltraFast 10-30 chilociclo in un pacchetto Interno-Un-Pak doppioInternational Rectifier
435590GA200TS60UMetą-Ponticello IGBT di 600V UltraFast 10-30 chilociclo in un pacchetto Interno-Un-PakInternational Rectifier
435591GA201Raddrizzatore Controllato Del SiliconeMicrosemi
435592GA201ARaddrizzatore Controllato Del SiliconeMicrosemi
435593GA250TD120UMetą-Ponticello IGBT di 1200V UltraFast 10-30 chilociclo in un pacchetto Interno-Un-Pak doppioInternational Rectifier
435594GA250TS60UMetą-Ponticello IGBT di 600V UltraFast 10-30 chilociclo in un pacchetto Interno-Un-PakInternational Rectifier
435595GA300Raddrizzatore Controllato Del SiliconeMicrosemi
435596GA300ARaddrizzatore Controllato Del SiliconeMicrosemi
435597GA300TD60UMetą-Ponticello IGBT di 600V UltraFast 10-30 chilociclo in un pacchetto Interno-Un-Pak doppioInternational Rectifier
435598GA301Raddrizzatore Controllato Del SiliconeMicrosemi
435599GA301ARaddrizzatore Controllato Del SiliconeMicrosemi
435600GA3201DynamEQ Programmabile IIGennum Corporation
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