| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 47161 | 2N5192 | 40.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 4.000A Ic, 7 hFE. | Continental Device India Limited |
| 47162 | 2N5193 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 47163 | 2N5194 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 47164 | 2N5194 | Alimentazione  60V PNP | ON Semiconductor |
| 47165 | 2N5194-D | Transistori Di Alimentazione Del Silicone PNP | ON Semiconductor |
| 47166 | 2N5195 | TRANSISTORE DEL SILICONE DI PNP | ST Microelectronics |
| 47167 | 2N5195 | TRANSISTORE MEDIO DEL SILICONE DI ALIMENTAZIONE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 47168 | 2N5195 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 47169 | 2N5195 | Alimentazione  80V PNP | ON Semiconductor |
| 47170 | 2N5196 | Uso generale Monolitico | Vishay |
| 47171 | 2N5196 | Doppio canale N JFET uso generale dell'amplificatore. | Intersil |
| 47172 | 2N5197 | Uso generale Monolitico | Vishay |
| 47173 | 2N5197 | Doppio canale N JFET uso generale dell'amplificatore. | Intersil |
| 47174 | 2N5198 | Uso generale Monolitico | Vishay |
| 47175 | 2N5198 | Doppio canale N JFET uso generale dell'amplificatore. | Intersil |
| 47176 | 2N5199 | Uso generale Monolitico | Vishay |
| 47177 | 2N5199 | Doppio canale N JFET uso generale dell'amplificatore. | Intersil |
| 47178 | 2N5202 | TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITÀ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTORE | General Electric Solid State |
| 47179 | 2N5202 | TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI AD ALTA VELOCITÀ DEL SILICONE NPN DEL COLLETTORE | General Electric Solid State |
| 47180 | 2N5204 | SCR di controllo di fase di 600V 2À in un pacchetto di To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47181 | 2N5204 | 25 e 35 ampère RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47182 | 2N5205 | SCR di controllo di fase di 800V 2À in un pacchetto di To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47183 | 2N5205 | 25 e 35 ampère RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47184 | 2N5206 | SCR di controllo di fase di 1000V 2À in un pacchetto di To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47185 | 2N5206 | 25 e 35 ampère RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47186 | 2N5207 | SCR di controllo di fase di 1200V 2À in un pacchetto di To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47187 | 2N5207 | 25 e 35 ampère RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47188 | 2N5208 | Il CASO 29-04, designa 2 A-92(to-22ãa) | Motorola |
| 47189 | 2N5209 | TRANSISTORI DEL SEGNALE DI RUMORE BASSO DI AF DEL SILICONE DI NPN PICCOLI | Micro Electronics |
| 47190 | 2N5209 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 47191 | 2N5209 | Silicone Di Transistors(NPN Dell'Amplificatore) | ON Semiconductor |
| 47192 | 2N5209-D | Silicone Dei Transistori NPN Dell'Amplificatore | ON Semiconductor |
| 47193 | 2N5209RLRE | Amplificatore Transistor NPN | ON Semiconductor |
| 47194 | 2N5210 | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47195 | 2N5210 | TRANSISTORI DEL SEGNALE DI RUMORE BASSO DI AF DEL SILICONE DI NPN PICCOLI | Micro Electronics |
| 47196 | 2N5210 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 47197 | 2N5210 | Silicone Di Transistors(NPN Dell'Amplificatore) | ON Semiconductor |
| 47198 | 2N5210 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Samsung Electronic |
| 47199 | 2N5210 | Amplifier transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 50V. Collector-base voltage: Vcbo = 50V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW. | USHA India LTD |
| 47200 | 2N5210BU | Amplificatore Di Uso generale di NPN | Fairchild Semiconductor |
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