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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
502001HN3G01JTRANSISTORE EPITASSIALE Del TIPO Del SILICONE NPN Del Fet Del TIPO Della GIUNZIONE Della MANICA Di NTOSHIBA
502002HN4400Transistore Epitassiale Del Silicone di NPNHoney Technology
502003HN4400TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN EXPITAXIALSemtech
502004HN4401Transistore Epitassiale Del Silicone di NPNHoney Technology
502005HN4401TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN EXPITAXIALSemtech
502006HN4402Transistore Epitassiale Del Silicone di PNPHoney Technology
502007HN4402TRANSISTORE DEL SILICONE DI PNP EXPITAXIALSemtech
502008HN4403Transistore Epitassiale Del Silicone di PNPHoney Technology
502009HN4403TRANSISTORE DEL SILICONE DI PNP EXPITAXIALSemtech
502010HN4627162048 parola x 8 cancellabile del bit ed EPROM UVHitachi Semiconductor
502011HN462716GSOLTANTO MEMORIA CANCELLABILE 8-BIT di 2048-2048-WORD x EDELETTRICAMENTE PROGRAMMABILE UVHitachi Semiconductor
502012HN4627324096 parola x 8 cancellabile del bit ed EPROM UVHitachi Semiconductor
502013HN48016Di WORD X 8 Del BIT 2048 ROM CANCELLABILE E PROGRAMMABILEELETTRICAMENTEHitachi Semiconductor
502014HN48016PDi WORD X 8 Del BIT 2048 ROM CANCELLABILE E PROGRAMMABILEELETTRICAMENTEHitachi Semiconductor
502015HN4827128Soltanto memoria colta cancellabile di 16384-Parola x e programmabileUV 8-bitHitachi Semiconductor
502016HN4A06JTransistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1TOSHIBA
502017HN4A08JTransistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1TOSHIBA
502018HN4A51JTransistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1TOSHIBA
502019HN4A56JUTransistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1TOSHIBA



502020HN4B01JETransistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1TOSHIBA
502021HN4B04JTransistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1TOSHIBA
502022HN4B06JTransistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1TOSHIBA
502023HN4B101JTransistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitŕTOSHIBA
502024HN4B102JTransistore di potenza per applicazioni di commutazione ad alta velocitŕTOSHIBA
502025HN4C05JUMulti domande per tutti gli usi discrete dell'amplificatore di frequenza audio del dispositivo del circuito integrato di applicazioni muting e di commutazioniTOSHIBA
502026HN4C06JTransistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1TOSHIBA
502027HN4C51JTransistor per piccoli segnali a bassa frequenza di amplificazione 2 in 1TOSHIBA
502028HN4D01JUDiodo di commutazioneTOSHIBA
502029HN4D02JUDiodo di commutazioneTOSHIBA
502030HN4K03JUApplicazioni Analog Dell'Interruttore Di Applicazioni Ad alta velocitŕ Di Commutazione Del Tipo del MOS Della Manica Del Silicone N Del Transistore Di Effetto Di CampoTOSHIBA
502031HN5400Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di PNPHoney Technology
502032HN5400Transistore planare di Expitaxial del silicone di PNP per applicazioni per tutti gli usi/ad alta tensione dell'amplificatoreSemtech
502033HN5401Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di PNPHoney Technology
502034HN5401Transistore planare di Expitaxial del silicone di PNP per applicazioni per tutti gli usi/ad alta tensione dell'amplificatoreSemtech
502035HN546Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di NPNHoney Technology
502036HN546Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di NPNSemtech
502037HN547Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di NPNHoney Technology
502038HN547Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di NPNSemtech
502039HN548Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di NPNSemtech
502040HN549Transistore Planare Epitassiale Del Silicone di NPNHoney Technology
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