| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 51201 | 2SA497-O | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51202 | 2SA497-O | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51203 | 2SA497-R | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51204 | 2SA497-R | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51205 | 2SA497-Y | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51206 | 2SA497-Y | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51207 | 2SA498 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51208 | 2SA498 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51209 | 2SA498 | Transistor PNP per applicazioni di amplificazione di potenza medio | TOSHIBA |
| 51210 | 2SA498-O | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51211 | 2SA498-O | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51212 | 2SA498-R | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51213 | 2SA498-R | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51214 | 2SA498-Y | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51215 | 2SA498-Y | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | Unknow |
| 51216 | 2SA505 | PROCESSO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 51217 | 2SA510 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 51218 | 2SA510 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 51219 | 2SA512 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 51220 | 2SA512 | TIPO EPITASSIALE DEL SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 51221 | 2SA52 | TRANSISTORE DI GIUNZIONE DELLA LEGA DEL GERMANIO PNP | Unknow |
| 51222 | 2SA52 | TRANSISTORE DI GIUNZIONE DELLA LEGA DEL GERMANIO PNP | Unknow |
| 51223 | 2SA532 | Amplificatori ed interruttori di alimentazione medi | Micro Electronics |
| 51224 | 2SA539 | Low frequency amplifier. Collector-base voltage: Vcbo = -60V. Collector-emitter voltage: Vceo = -45V. Emitter-base voltage Vebo = -5V. Collector dissipation: Pc(max) = 400mW. | USHA India LTD |
| 51225 | 2SA542 | Low frequency amplifier. Collector-base voltage: Vcbo = -30V. Collector-emitter voltage: Vceo = -25V. Emitter-base voltage Vebo = -5V. Collector dissipation: Pc(max) = 250mW. | USHA India LTD |
| 51226 | 2SA561 | TRANSISTORE DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
| 51227 | 2SA562 | TO-92 Plastica-Incapsulano I Transistori | Unknow |
| 51228 | 2SA562 | TO-92 Plastica-Incapsulano I Transistori | Unknow |
| 51229 | 2SA562TM | Applicazioni basse epitassiali dell'amplificatore della fase di driver di applicazioni dell'amplificatore di alimentazione di frequenza audio del tipo del silicone PNP del transistore (processo del PCT) che commutano le applicazioni | TOSHIBA |
| 51230 | 2SA564 | Basso livello ed amplificatori per tutti gli usi | Micro Electronics |
| 51231 | 2SA564 | Piccoli Transistori Del Segnale Di Frequenza Audio | Semiconductor Technology |
| 51232 | 2SA573 | TRANSISTORE DI SI PNP | Unknow |
| 51233 | 2SA573 | TRANSISTORE DI SI PNP | Unknow |
| 51234 | 2SA574 | TRANSISTORE DI SI PNP | Unknow |
| 51235 | 2SA574 | TRANSISTORE DI SI PNP | Unknow |
| 51236 | 2SA603 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Unknow |
| 51237 | 2SA603 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Unknow |
| 51238 | 2SA606 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP/npn | Unknow |
| 51239 | 2SA606 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP/npn | Unknow |
| 51240 | 2SA607 | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP/npn | Unknow |
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