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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
561681IF4500Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
561682IF4501Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
561683IF4510N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561684IF4511N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561685IF9030Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
561686IFC-0603Alto Induttore Della Pellicola di Q/srfVishay
561687IFC-0805Alto Induttore Della Pellicola di Q/srfVishay
561688IFC125-14AC / DC open frame. 125 Watts. Uscita 1: Vnom 24.0V, Imax 5.2A. Uscita 2: Vnom 12.0V, Imax 0.5A.International Power Sources
561689IFC125-31AC / DC open frame. 125 Watts. Uscita 1: Vnom 5.0V, Imax 16.5A. Uscita 2: Vnom 12.0V, Imax 5.0A. Uscita 3: Vnom -12.0V, Imax 0.5A.International Power Sources
561690IFC125-40-1AC / DC open frame. 125 Watts. Uscita 1: Vnom 2,5 V, Imax 12.5A. Uscita 2: Vnom 5.0V, Imax 15.0A. Uscita 3: Vnom 12.0V, Imax 5.0A. Uscita 4: Vnom -12.0V, Imax 0.5A.International Power Sources
561691IFC125-42-3AC / DC open frame. 125 Watts. Uscita 1: Vnom 3.3V, Imax 10.0A. Uscita 2: Vnom 5.0V, Imax 15.0A. Uscita 3: Vnom 12.0V, Imax 5.0A. Uscita 4: Vnom -12.0V, Imax 0.5A.International Power Sources
561692IFD-53010Silicone Divide-by-4 bipolare di MMIC 3,5 e 5,5 elettricitŕ statica Prescalers del gigahertzAgilent (Hewlett-Packard)
561693IFD-53110Silicone Divide-by-4 bipolare di MMIC 3,5 e 5,5 elettricitŕ statica Prescalers del gigahertzAgilent (Hewlett-Packard)
561694IFN105N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561695IFN112N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561696IFN113N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561697IFN146Transistore Doppio Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
561698IFN147N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation



561699IFN152N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561700IFN363N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561701IFN421Doppia giunzione di silicio transistor ad effetto di campo a canale NInterFET Corporation
561702IFN422Doppia giunzione di silicio transistor ad effetto di campo a canale NInterFET Corporation
561703IFN423Doppia giunzione di silicio transistor ad effetto di campo a canale NInterFET Corporation
561704IFN424Transistore Doppio Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
561705IFN425Transistore Doppio Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
561706IFN426Transistore Doppio Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
561707IFN5114P-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561708IFN5115P-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561709IFN5116P-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561710IFN5432N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561711IFN5433N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561712IFN5434N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561713IFN5564N-Channel giunzione doppia silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561714IFN5565N-Channel giunzione doppia silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561715IFN5566N-Channel giunzione doppia silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561716IFN5911N-Channel giunzione doppia silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561717IFN5912N-Channel giunzione doppia silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
561718IFN6449Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
561719IFN6450Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-ScanalaturaInterFET Corporation
561720IFN860Doppia giunzione di silicio transistor ad effetto di campo a canale NInterFET Corporation
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