No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
567601 | IRF250 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
567602 | IRF250 | Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 30A/0,085 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
567603 | IRF250 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567604 | IRF250 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
567605 | IRF250SMD | MOSFET DI ALIMENTAZIONE DI N.channel | SemeLAB |
567606 | IRF251 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567607 | IRF251 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 30A. | General Electric Solid State |
567608 | IRF251 | 25A e 30A, 150V e 200V, 0,085 e 0,120 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
567609 | IRF252 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567610 | IRF252 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
567611 | IRF252 | 25A e 30A, 150V e 200V, 0,085 e 0,120 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
567612 | IRF253 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
567613 | IRF253 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 25A. | General Electric Solid State |
567614 | IRF253 | 25A e 30A, 150V e 200V, 0,085 e 0,120 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
567615 | IRF2804 | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567616 | IRF2804L | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567617 | IRF2804S | 40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567618 | IRF2804S-7P | MOSFET AUTOMOBILISTICO | International Rectifier |
567619 | IRF2805 | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567620 | IRF2805L | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567621 | IRF2805S | 55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567622 | IRF2807 | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567623 | IRF2807L | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567624 | IRF2807PBF | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567625 | IRF2807S | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567626 | IRF2807STRL | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567627 | IRF2807STRL-111 | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567628 | IRF2807STRR | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567629 | IRF2807Z | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567630 | IRF2807ZL | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567631 | IRF2807ZS | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2Pak | International Rectifier |
567632 | IRF2907S | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567633 | IRF2907Z | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
567634 | IRF2907ZL | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
567635 | IRF2907ZS | 75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
567636 | IRF2907ZS-7PPBF | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
567637 | IRF2907ZS-7PPBF | IRF2907ZS-7PPBF | International Rectifier |
567638 | IRF300 | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
567639 | IRF300 | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
567640 | IRF3000 | 300V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
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