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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
567601IRF250Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSemeLAB
567602IRF250Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 30A/0,085 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
567603IRF250MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSamsung Electronic
567604IRF250Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 30A.General Electric Solid State
567605IRF250SMDMOSFET DI ALIMENTAZIONE DI N.channelSemeLAB
567606IRF251MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSamsung Electronic
567607IRF251Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 30A.General Electric Solid State
567608IRF25125A e 30A, 150V e 200V, 0,085 e 0,120 Ohm, N-Channel Power MOSFETIntersil
567609IRF252MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSamsung Electronic
567610IRF252Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 25A.General Electric Solid State
567611IRF25225A e 30A, 150V e 200V, 0,085 e 0,120 Ohm, N-Channel Power MOSFETIntersil
567612IRF253MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSamsung Electronic
567613IRF253Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 25A.General Electric Solid State
567614IRF25325A e 30A, 150V e 200V, 0,085 e 0,120 Ohm, N-Channel Power MOSFETIntersil
567615IRF280440V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220abInternational Rectifier
567616IRF2804L40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262International Rectifier
567617IRF2804S40V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-PakInternational Rectifier
567618IRF2804S-7PMOSFET AUTOMOBILISTICOInternational Rectifier
567619IRF280555V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220abInternational Rectifier



567620IRF2805L55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262International Rectifier
567621IRF2805S55V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-PakInternational Rectifier
567622IRF280775V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220abInternational Rectifier
567623IRF2807L75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262International Rectifier
567624IRF2807PBF75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220abInternational Rectifier
567625IRF2807S75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-PakInternational Rectifier
567626IRF2807STRL75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-PakInternational Rectifier
567627IRF2807STRL-11175V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-PakInternational Rectifier
567628IRF2807STRR75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-PakInternational Rectifier
567629IRF2807Z75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220abInternational Rectifier
567630IRF2807ZL75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262International Rectifier
567631IRF2807ZS75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2PakInternational Rectifier
567632IRF2907S75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-PakInternational Rectifier
567633IRF2907Z75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220abInternational Rectifier
567634IRF2907ZL75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262International Rectifier
567635IRF2907ZS75V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-PakInternational Rectifier
567636IRF2907ZS-7PPBFIRF2907ZS-7PPBFInternational Rectifier
567637IRF2907ZS-7PPBFIRF2907ZS-7PPBFInternational Rectifier
567638IRF30050W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATOetc
567639IRF30050W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATOetc
567640IRF3000300V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8International Rectifier
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