| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 567881 | IRF440 | 500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
| 567882 | IRF440 | MOSFETs/Ĺ/450 V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567883 | IRF440 | Mosfet Di Alimentazione 500V/Di Ĺ/0,850 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567884 | IRF440 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567885 | IRF440-443 | MOSFETs/Ĺ/450 V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567886 | IRF441 | MOSFETs/Ĺ/450 V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567887 | IRF441 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567888 | IRF441 | 7A e 8A, 450V e 500V, 0,85 e 1,1 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567889 | IRF442 | MOSFETs/Ĺ/450 V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567890 | IRF442 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567891 | IRF442 | 7A e 8A, 450V e 500V, 0,85 e 1,1 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567892 | IRF443 | MOSFETs/Ĺ/450 V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567893 | IRF443 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567894 | IRF443 | 7A e 8A, 450V e 500V, 0,85 e 1,1 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567895 | IRF450 | La N Manica il Mosfet | Microsemi |
| 567896 | IRF450 | 500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
| 567897 | IRF450 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
| 567898 | IRF450 | Mosfet Di Alimentazione Di 1Á/500V/0,400 Ohm/N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 567899 | IRF450 | Mosfet Di Alimentazione Di 1Á/500V/0,400 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
| 567900 | IRF450 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567901 | IRF450 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567902 | IRF451 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567903 | IRF451 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567904 | IRF451 | 11A e 13A, 450V e 500V, 0,4 e 0,5 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567905 | IRF452 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567906 | IRF452 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 500V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 567907 | IRF452 | 11A e 13A, 450V e 500V, 0,4 e 0,5 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567908 | IRF453 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 567909 | IRF453 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalitŕ ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 450V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 567910 | IRF453 | 11A e 13A, 450V e 500V, 0,4 e 0,5 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 567911 | IRF460 | 500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âe | International Rectifier |
| 567912 | IRF460 | MOSFETS AD ALTA TENSIONE di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | SemeLAB |
| 567913 | IRF4905 | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567914 | IRF4905L | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 567915 | IRF4905PBF | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 567916 | IRF4905S | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567917 | IRF4905STRL | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567918 | IRF4905STRL-111 | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567919 | IRF4905STRR | -55V scelgono il MOSFET di alimentazione della P-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 567920 | IRF500 | 50W ALLUMINIO PIANO dei RESISTORI della FERITA del LEGARE di ALTA ALIMENTAZIONE 500W al A FORMA DI HA ALLOGGIATO | etc |
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