| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 568241 | IRF630SPBF | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568242 | IRF630ST4 | N-scanalatura 200V - 0,35 OHM - 9A - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di To-220/to220-fp | ST Microelectronics |
| 568243 | IRF630STRL | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568244 | IRF630STRR | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568245 | IRF631 | MOSFETs/1À/150-200 V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568246 | IRF631 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 9.0A. | General Electric Solid State |
| 568247 | IRF632 | MOSFETs/1À/150-200 V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568248 | IRF632 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 568249 | IRF633 | MOSFETs/1À/150-200 V Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568250 | IRF633 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 568251 | IRF634 | Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di OHM Å To-220/to-220fp Della N-scanalatura 250V 0,38 | ST Microelectronics |
| 568252 | IRF634 | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568253 | IRF634 | Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di OHM Å To-220/to-220fp Della N-scanalatura 250V 0,38 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568254 | IRF634 | Mosfet Avanzato Di Alimentazione | Fairchild Semiconductor |
| 568255 | IRF634A | Mosfet Avanzato Di Alimentazione | Fairchild Semiconductor |
| 568256 | IRF634B | Mosfet Della N-Scanalatura 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568257 | IRF634B_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 250V/sostituto di IRF634 & di IRF63Â | Fairchild Semiconductor |
| 568258 | IRF634FP | Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di OHM Å To-220/to-220fp Della N-scanalatura 250V 0,38 | ST Microelectronics |
| 568259 | IRF634FP | Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA di OHM Å To-220/to-220fp Della N-scanalatura 250V 0,38 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568260 | IRF634N | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568261 | IRF634NL | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto To-262 | International Rectifier |
| 568262 | IRF634NS | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568263 | IRF634PBF | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568264 | IRF634S | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568265 | IRF634STRL | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568266 | IRF634STRR | 250V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di D2-Pak | International Rectifier |
| 568267 | IRF640 | transistore di TrenchMOS(tm) della N-scanalatura | Philips |
| 568268 | IRF640 | 1Å, 200V, 0,180 Ohm, MOSFETs Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568269 | IRF640 | N-scanalatura 200V - 0,150 OHM - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di 1Å To-220/to-220fp | ST Microelectronics |
| 568270 | IRF640 | 200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab | International Rectifier |
| 568271 | IRF640 | N - MANICA 200V - 0.150Ohm - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di 1Å To-220/to-220fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568272 | IRF640 | N-scanalatura 200V - 0,150 OHM - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di 1Å To-220/to-220fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568273 | IRF640 | OBSOLETO - Potenza Field Effect Transistor | ON Semiconductor |
| 568274 | IRF640 | 18A, 200V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 568275 | IRF640-D | Porta al silicio Di Aumento-Modo Della N-Scanalatura Del Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione | ON Semiconductor |
| 568276 | IRF640A | Mosfet Avanzato Di Alimentazione | Fairchild Semiconductor |
| 568277 | IRF640B | Mosfet Della N-Scanalatura 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568278 | IRF640BTSTU_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 200V/sostituto di IRF640 & di IRF640A | Fairchild Semiconductor |
| 568279 | IRF640B_FP001 | B-b-fet della N-Scanalatura 200V/sostituto di IRF640 & di IRF640A | Fairchild Semiconductor |
| 568280 | IRF640FP | N-scanalatura 200V - 0,150 OHM - Mosfet della SOVVRAPPOSIZIONE della MAGLIA Di 1Å To-220/to-220fp | ST Microelectronics |
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