| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 568921 | IRF841 | TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS | Motorola |
| 568922 | IRF841 | MOSFETs/Å/450 V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568923 | IRF841 | N-scanalatura dei TRANSISTORI | International Rectifier |
| 568924 | IRF841 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Samsung Electronic |
| 568925 | IRF841 | HEXFET canale N, 450V, 8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568926 | IRF841F1 | HEXFET a canale N, 450V, 4.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568927 | IRF842 | TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS | Motorola |
| 568928 | IRF842 | MOSFETs/Å/450 V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568929 | IRF842 | N-scanalatura dei TRANSISTORI | International Rectifier |
| 568930 | IRF843 | TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS | Motorola |
| 568931 | IRF843 | MOSFETs/Å/450 V/500v Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
| 568932 | IRF843 | N-scanalatura dei TRANSISTORI | International Rectifier |
| 568933 | IRF8910 | 20V si raddoppiano MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
| 568934 | IRF8915 | 20V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto So-8 | International Rectifier |
| 568935 | IRF9130 | -100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
| 568936 | IRF9130 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura | SemeLAB |
| 568937 | IRF9130 | Mosfet Di Alimentazione Di 1À/-100V/0,30 Ohm/P-Scanalatura | Intersil |
| 568938 | IRF9130 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura | Samsung Electronic |
| 568939 | IRF9130SMD | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura PER LE APPLICAZIONI di HI.rel | SemeLAB |
| 568940 | IRF9131 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura | Samsung Electronic |
| 568941 | IRF9131 | -10A E 12 bis, -80V e 100V, 0,30 e 0,40 Ohm, P-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 568942 | IRF9132 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura | Samsung Electronic |
| 568943 | IRF9132 | -10A E 12 bis, -80V e 100V, 0,30 e 0,40 Ohm, P-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 568944 | IRF9133 | MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura | Samsung Electronic |
| 568945 | IRF9133 | -10A E 12 bis, -80V e 100V, 0,30 e 0,40 Ohm, P-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 568946 | IRF9140 | -100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa | International Rectifier |
| 568947 | IRF9140 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura | SemeLAB |
| 568948 | IRF9140 | Mosfet Di Alimentazione -100V/Di 19A/0,200 Ohm/P-Scanalatura | Intersil |
| 568949 | IRF9140 | 100 V, MOSFET di potenza a canale P | Samsung Electronic |
| 568950 | IRF9141 | -19A E -15A, -80V e 100V, 0,20 e 0,30 Ohm, P-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 568951 | IRF9141 | 60 V, MOSFET di potenza a canale P | Samsung Electronic |
| 568952 | IRF9142 | -19A E -15A, -80V e 100V, 0,20 e 0,30 Ohm, P-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 568953 | IRF9142 | 100 V, MOSFET di potenza a canale P | Samsung Electronic |
| 568954 | IRF9143 | -19A E -15A, -80V e 100V, 0,20 e 0,30 Ohm, P-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 568955 | IRF9143 | 60 V, MOSFET di potenza a canale P | Samsung Electronic |
| 568956 | IRF9150 | La P Manica il Mosfet | Microsemi |
| 568957 | IRF9150 | Mosfet Di Alimentazione -100V/Di 2Ä/0,150 Ohm/P-Scanalatura | Intersil |
| 568958 | IRF9151 | -25A, -80V E 100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET | Intersil |
| 568959 | IRF9230 | -200V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in unpacchetto di TO-204AA | International Rectifier |
| 568960 | IRF9230 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della P-scanalatura | SemeLAB |
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