| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 63201 | 2SK56 | Fet Della Giunzione 8Ii-N-HANNEL | Unknow |
| 63202 | 2SK56 | Fet Della Giunzione 8Ii-N-HANNEL | Unknow |
| 63203 | 2SK560 | Fet del MOS Della N-Scanalatura Del Silicone | Renesas |
| 63204 | 2SK578 | VERSO L'ESTERNO LA LINEA CIRCUITO DI BQUIVALRN | TOSHIBA |
| 63205 | 2SK578 | VERSO L'ESTERNO LA LINEA CIRCUITO DI BQUIVALRN | TOSHIBA |
| 63206 | 2SK579 | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63207 | 2SK579 | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63208 | 2SK579L | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63209 | 2SK579L | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63210 | 2SK579S | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63211 | 2SK579S | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63212 | 2SK58 | Tipo Fet Doppio (Uso CC-$$$-VHF, Rumore Basso) Della Giunzione Della N-Scanalatura Del Silicone | SONY |
| 63213 | 2SK58 | Tipo Fet Doppio (Uso CC-$$$-VHF, Rumore Basso) Della Giunzione Della N-Scanalatura Del Silicone | SONY |
| 63214 | 2SK580 | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63215 | 2SK580 | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63216 | 2SK580L | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63217 | 2SK580L | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63218 | 2SK580S | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63219 | 2SK580S | COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI ALIMENTAZIONE | Hitachi Semiconductor |
| 63220 | 2SK583 | Applicazioni Analog Dell'Interruttore del Mosfet Del Silicone Di Aumento Della N-Scanalatura | SANYO |
| 63221 | 2SK591 | TRANSISTORE di ALIMENTAZIONE di EFFETTO del GIACIMENTO del MOS Della N-scanalatura | NEC |
| 63222 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63223 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63224 | 2SK596 | APPLICAZIONI DEL MICROFONO DEL CONDENSATORE | SANYO |
| 63225 | 2SK596 | APPLICAZIONI DEL MICROFONO DEL CONDENSATORE | SANYO |
| 63226 | 2SK596A | V (GDO): -20V; I (g): 10mA; 100mW; applicazione del microfono condensatore | SANYO |
| 63227 | 2SK596B | V (GDO): -20V; I (g): 10mA; 100mW; applicazione del microfono condensatore | SANYO |
| 63228 | 2SK596C | V (GDO): -20V; I (g): 10mA; 100mW; applicazione del microfono condensatore | SANYO |
| 63229 | 2SK596D | V (GDO): -20V; I (g): 10mA; 100mW; applicazione del microfono condensatore | SANYO |
| 63230 | 2SK596E | V (GDO): -20V; I (g): 10mA; 100mW; applicazione del microfono condensatore | SANYO |
| 63231 | 2SK601 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs del MOS | Panasonic |
| 63232 | 2SK606 | Tipo di Manica del silicone N Junction | Panasonic |
| 63233 | 2SK608 | Tipo di Manica del silicone N Junction | Panasonic |
| 63234 | 2SK611 | TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE DI EFFETTO DEL GIACIMENTO DEL MOS | NEC |
| 63235 | 2SK611 | TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE DI EFFETTO DEL GIACIMENTO DEL MOS | NEC |
| 63236 | 2SK612 | Transistori Di Alimentazione Di Effetto Del Giacimento del MOS | Unknow |
| 63237 | 2SK612 | Transistori Di Alimentazione Di Effetto Del Giacimento del MOS | Unknow |
| 63238 | 2SK612 | V (DSS): 100V; 20W; commutazione veloce di potenza al silicio a canale N MOS FET. Per uso industriale | NEC |
| 63239 | 2SK612-Z | Transistori Di Alimentazione Di Effetto Del Giacimento del MOS | Unknow |
| 63240 | 2SK612-Z | Transistori Di Alimentazione Di Effetto Del Giacimento del MOS | Unknow |
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