| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 889161 | MMBC1623L4 | NPN (TRANSISTORE DELL'CAmplificatore) | Samsung Electronic |
| 889162 | MMBC1623L4 | Transistore NPN amplificatore silicio. | Motorola |
| 889163 | MMBC1623L5 | NPN (TRANSISTORE DELL'CAmplificatore) | Samsung Electronic |
| 889164 | MMBC1623L5 | Transistore NPN amplificatore silicio. | Motorola |
| 889165 | MMBC1623L6 | Transistore NPN amplificatore silicio. | Motorola |
| 889166 | MMBC1623L6 | 50 V, 100 mA, transistor NPN al silicio epitassiale | Samsung Electronic |
| 889167 | MMBC1623L7 | NPN (TRANSISTORE DELL'CAmplificatore) | Samsung Electronic |
| 889168 | MMBC1623L7 | Transistore NPN amplificatore silicio. | Motorola |
| 889169 | MMBC1626L6 | NPN (TRANSISTORE DELL'CAmplificatore) | Samsung Electronic |
| 889170 | MMBC1653N2 | Silicone di NPN transistor ad alta tensione. | Motorola |
| 889171 | MMBC1653N3 | Silicone di NPN transistor ad alta tensione. | Motorola |
| 889172 | MMBC1653N4 | Silicone di NPN transistor ad alta tensione. | Motorola |
| 889173 | MMBC1654N5 | Silicone di NPN transistor ad alta tensione. | Motorola |
| 889174 | MMBC1654N6 | Silicone di NPN transistor ad alta tensione. | Motorola |
| 889175 | MMBC1654N7 | Silicone di NPN transistor ad alta tensione. | Motorola |
| 889176 | MMBD1000LT1 | Diodo Di Commutazione | Motorola |
| 889177 | MMBD1005LT1 | Diodo Di Commutazione | Motorola |
| 889178 | MMBD101 | Diodi Di Barriera Dello Schottky | Leshan Radio Company |
| 889179 | MMBD101 | Silicon hot-carrier mixer UNF Diode (Diodo a barriera Schottky). | Motorola |
| 889180 | MMBD1010LT1 | Diodo di commutazione | ON Semiconductor |
| 889181 | MMBD1010LT1 | 45 V, bassa tensione di saturazione | Leshan Radio Company |
| 889182 | MMBD1010LT1-D | Diodo Di Commutazione | ON Semiconductor |
| 889183 | MMBD1010T1 | 45 V, bassa tensione di saturazione | Leshan Radio Company |
| 889184 | MMBD101L | Diodi Di Barriera Dello Schottky | ON Semiconductor |
| 889185 | MMBD101L | Silicon hot-carrier mixer UNF Diode (Diodo a barriera Schottky). | Motorola |
| 889186 | MMBD101LT1 | Diodi Di Barriera Dello Schottky | Leshan Radio Company |
| 889187 | MMBD101LT1 | Diodi Di Barriera Dello Schottky | ON Semiconductor |
| 889188 | MMBD110T1 | Diodi Di Barriera Dello Schottky | Leshan Radio Company |
| 889189 | MMBD110T1 | Diodi Di Barriera Dello Schottky | Motorola |
| 889190 | MMBD110T1-D | Diodi Di Barriera Dello Schottky | ON Semiconductor |
| 889191 | MMBD1201 | Piccoli Diodi di segnalazione | Fairchild Semiconductor |
| 889192 | MMBD1201 | DIODI DI SUPERFICIE DI COMMUTAZIONE DEL SUPPORTO | Jinan Gude Electronic Device |
| 889193 | MMBD1201_D87Z | Alto Diodo Ultra Veloce Di Conduttanza | Fairchild Semiconductor |
| 889194 | MMBD1201_NL | Alto Diodo Ultra Veloce Di Conduttanza | Fairchild Semiconductor |
| 889195 | MMBD1202 | DIODI DI SUPERFICIE DI COMMUTAZIONE DEL SUPPORTO | Jinan Gude Electronic Device |
| 889196 | MMBD1202 | Alta Conduttanza Diodo Ultra Veloce | Fairchild Semiconductor |
| 889197 | MMBD1203 | Piccoli Diodi di segnalazione | Fairchild Semiconductor |
| 889198 | MMBD1203 | DIODI DI SUPERFICIE DI COMMUTAZIONE DEL SUPPORTO | Jinan Gude Electronic Device |
| 889199 | MMBD1203_D87Z | Alto Diodo Ultra Veloce Di Conduttanza | Fairchild Semiconductor |
| 889200 | MMBD1203_L99Z | Alto Diodo Ultra Veloce Di Conduttanza | Fairchild Semiconductor |
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