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Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF221 prodotto da: |
4.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-Scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF223, IRF222, IRF220, |
Scarica IRF221 datasheet de Intersil |
pdf 73 kb |
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MOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF622, IRF621, IRF220-223, IRF623, |
Scarica IRF221 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
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Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A. | Scarica IRF221 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF221 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 214 kb |
IRF2204S | Vista IRF221 al nostro catalogo | IRF222 |