|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a: 1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



IRF221 prodotto da:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil4.0A e 5.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,8 e 1,2 Ohm/N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF223, IRF222, IRF220,
Scarica IRF221 datasheet de
Intersil
pdf
73 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorMOSFETs/7A/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF622, IRF621, IRF220-223, IRF623,
Scarica IRF221 datasheet de
Fairchild Semiconductor
pdf
170 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A. Scarica IRF221 datasheet de
General Electric Solid State
pdf
166 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF221 datasheet de
Samsung Electronic
pdf
214 kb
IRF2204SVista IRF221 al nostro catalogoIRF222



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com