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Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorMOSFETs/1À/150-200 V Di Alimentazione Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF633, IRF632, IRF631, IRF230-233, IRF231,
Scarica IRF230 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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182 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil8.0A e 9.0A/150V e 200V/mOSFETs di alimentazione 0,4 e 0,6 Ohm/N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF233, IRF232,
Scarica IRF230 datasheet de
Intersil
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74 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 9.0A. Scarica IRF230 datasheet de
General Electric Solid State
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165 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF230 datasheet de
Samsung Electronic
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217 kb
Osservare tutti i fogli di dati per International Rectifier200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âa

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
2N6758, JANTX2N6758, JANTXV2N6758,
Scarica IRF230 datasheet de
International Rectifier
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153 kb
Osservare tutti i fogli di dati per SemeLABMosfet AD ALTA TENSIONE di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura Scarica IRF230 datasheet de
SemeLAB
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28 kb
IRF224Vista IRF230 al nostro catalogoIRF230-233



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