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Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF242, IRF241, IRF240,
Scarica IRF243 datasheet de
Samsung Electronic
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216 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorMOSFETs/1Å/150-200V Di Alimentazione Della N-Scanalatura

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF240-243, IRF641, IRF642, IRF643,
Scarica IRF243 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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145 kb
Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 150V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 16A. Scarica IRF243 datasheet de
General Electric Solid State
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165 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil16A e 18A, 200V e 150V, 0,18 e 0,22 Ohm, N-Channel Power MOSFET Scarica IRF243 datasheet de
Intersil
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65 kb
IRF242Vista IRF243 al nostro catalogoIRF244



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