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IRF350 prodotto da: |
MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF353, IRF352, IRF351, |
Scarica IRF350 datasheet de Samsung Electronic |
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Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 400V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 15A. | Scarica IRF350 datasheet de General Electric Solid State |
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MOSFETs/1Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF350-353, |
Scarica IRF350 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20âe D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: JANTXV2N6768, JANTX2N6768, 2N6768, |
Scarica IRF350 datasheet de International Rectifier |
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Mosfet Di Alimentazione Di 1Ä/400V/0,300 Ohm/N-Scanalatura | Scarica IRF350 datasheet de Intersil |
pdf 64 kb |
IRF343 | Vista IRF350 al nostro catalogo | IRF350-353 |