| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1029881 | Q62702-F1490 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-power no pager móvel dos sistemas de comunicação em correntes de coletor de 0.2mA a 2.5mA) | Siemens |
| 1029882 | Q62702-F1491 | Ruído baixo do)For do transistor do RF do silicone de NPN, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 0.5 miliampère a 12mA) | Siemens |
| 1029883 | Q62702-F1492 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029884 | Q62702-F1493 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain na corrente de coletor de 2 miliampères a 30mA) | Siemens |
| 1029885 | Q62702-F1494 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores low-power em sistemas de comunicação móveis | Siemens |
| 1029886 | Q62702-F1498 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 1029887 | Q62702-F1500 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-power no pager móvel dos sistemas de comunicação em correntes de coletor de 0.2 a 2.5mA) | Siemens |
| 1029888 | Q62702-F1501 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 0.5mA a 12mA) | Siemens |
| 1029889 | Q62702-F1502 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029890 | Q62702-F1503 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 2 miliampères a 30 miliampères) | Siemens |
| 1029891 | Q62702-F1504 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores low-power em sistemas de comunicação móveis) | Siemens |
| 1029892 | Q62702-F1510 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares) | Siemens |
| 1029893 | Q62702-F1519 | Transistor do RF do silicone de NPN (para moduladores e amplificadores em tuners da tevê e do VCR) | Siemens |
| 1029894 | Q62702-F1520 | Transistor do RF do silicone de NPN (especial apropriado para tuners Tevê-sentados e DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 1029895 | Q62702-F1531 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores low-power em sistemas de comunicação móveis) | Siemens |
| 1029896 | Q62702-F1549 | Hemt de AlGaAs/InGaAs (ganho muito elevado muito baixo do ruído para amplificadores baixos da extremidade dianteira do ruído até 20 gigahertz para de DBS conversores para baixo) | Siemens |
| 1029897 | Q62702-F1559 | Hemt de AlGaAs/InGaAs (ganho muito elevado muito baixo do ruído para amplificadores baixos da extremidade dianteira do ruído até 20 gigahertz para de DBS conversores para baixo) | Siemens |
| 1029898 | Q62702-F1568 | Transistor do RF do silicone de PNP (para aplicações do oscilador do VHF) | Siemens |
| 1029899 | Q62702-F1571 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações broadband lineares do amplificador até o excitador do filtro da SERRA 500MHz em tuners da tevê) | Siemens |
| 1029900 | Q62702-F1572 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o amplificador broadband low-noise, high-gain em correntes de coletor de 0.5 a 12 miliampères) | Siemens |
| 1029901 | Q62702-F1573 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband low-noise, high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA.) | Siemens |
| 1029902 | Q62702-F1574 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o amplificador broadband low-noise, high-gain na corrente do colector de 2mA a 28mA) | Siemens |
| 1029903 | Q62702-F1575 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o amplificador de poder em sistemas de DECT e de PCN) | Siemens |
| 1029904 | Q62702-F1576 | Ruído baixo do RF Transistor(For do silicone de NPN, amplificadores broadband da distorção baixa na antena e telecomunicações) | Siemens |
| 1029905 | Q62702-F1577 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares) | Siemens |
| 1029906 | Q62702-F1582 | Transistor do RF do silicone de PNP (para osciladores, misturador e estágios self-oscilando do misturador no Tevê-tV-tuner DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 1029907 | Q62702-F1586 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (transistor da Curto-canaleta com fator de qualidade elevado de S/C) | Siemens |
| 1029908 | Q62702-F1587 | TETRODE do MOSFET do SILICONE N-CHANNEL (para a entrada low-noise, ganh-controlada encena até 1 gigahertz) | Siemens |
| 1029909 | Q62702-F1590 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores de poder médios) | Siemens |
| 1029910 | Q62702-F1591 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores baixos do ruído do ganho elevado para osciladores até 10 gigahertz) | Siemens |
| 1029911 | Q62702-F1592 | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações atuais baixas para osciladores até 12 gigahertz) | Siemens |
| 1029912 | Q62702-F1594 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 2 miliampères a 28 miliampères) | Siemens |
| 1029913 | Q62702-F1601 | Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029914 | Q62702-F1611 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-noise até 2GHz em correntes de coletor de 0.5 miliampère a 20 miliampères.) | Siemens |
| 1029915 | Q62702-F1613 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, o ganho elevado controlou estágios da entrada até a rede diagonal estabilizada integrada V se operando da tensão 9 do 1GHz | Siemens |
| 1029916 | Q62702-F1627 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 1029917 | Q62702-F1628 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal integrada 9V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
| 1029918 | Q62702-F1645 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband até o 1GHz em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029919 | Q62702-F1645 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband até o 1GHz em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1029920 | Q62702-F1665 | Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, a entrada controlada do ganho elevado encena até a rede diagonal estabilizada integrada 5V se operando da tensão do 1GHz) | Siemens |
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