| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1164481 | STD95NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.0039 Ohm - Mosfet ULTRA BAIXO De STripFET da CARGA da PORTA De 80A DPAK | ST Microelectronics |
| 1164482 | STD96N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,0037 Ohm tip., 80 A, em DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164483 | STD9N10 | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
| 1164484 | STD9N10 | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164485 | STD9N10 | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164486 | STD9N10-1 | N-CHANNEL 100V - 0.23 & - TRANSISTOR DO MOSFET DE 9A DPAK/IPAK | ST Microelectronics |
| 1164487 | STD9N10L | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
| 1164488 | STD9N10L | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164489 | STD9N10L | N - CANALETA 100V - 0.22Ohm - TRANSISTOR Do MOS Do PODER De 9A IPAK/DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164490 | STD9N40M2 | N-channel 400 V, 0,65 Ohm tip., 6 A MDmesh II Plus (TM) baixo Qg Poder MOSFET no pacote DPAK | ST Microelectronics |
| 1164491 | STD9N60M2 | N-channel 600 V, 0,72 Ohm tip., 5.5 A MDmesh II Plus (TM) baixo Qg Poder MOSFET no pacote DPAK | ST Microelectronics |
| 1164492 | STD9N65M2 | N-channel 650 V, 0,79 Ohm tip., 5 A MDmesh M2 Poder MOSFET no pacote DPAK | ST Microelectronics |
| 1164493 | STD9NM40N | N-channel 400 V, 0,73 Ohm tip., 5.6 A MDmesh (TM) II Poder MOSFET em um pacote de DPAK | ST Microelectronics |
| 1164494 | STD9NM50N | N-channel 500 V, 0,73 Ohm, 5 A MDmesh (TM) II Poder MOSFET em DPAK | ST Microelectronics |
| 1164495 | STD9NM60N | N-channel 600 V, 0,63 Ohm, 6.5 A DPAK MDmesh (TM) II Poder MOSFET | ST Microelectronics |
| 1164496 | STDD15 | DIODO DE DETEÇÃO BAIXO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164497 | STDD15-04W | DIODO DE DETEÇÃO BAIXO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164498 | STDD15-04WFILM | DIODO DE DETEÇÃO BAIXO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164499 | STDD15-05W | DIODO DE DETEÇÃO BAIXO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164500 | STDD15-05WFILM | DIODO DE DETEÇÃO BAIXO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164501 | STDD15-07P | DIODO DE DETEÇÃO BAIXO DA CAPACIDADE | ST Microelectronics |
| 1164502 | STDD15-07P6 | DIODO DE DETEÇÃO BAIXO DA CAPACIDADE | ST Microelectronics |
| 1164503 | STDD15-07S | DIODO DE DETEÇÃO BAIXO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164504 | STDD15-07SFILM | DIODO DE DETEÇÃO BAIXO DE CAPACTITANCE | ST Microelectronics |
| 1164505 | STDELIV | INFORMAÇÃO REQUISITANDO PARA O PACOTE E A ENTREGA | ST Microelectronics |
| 1164506 | STDELIV | INFORMAÇÃO REQUISITANDO PARA O PACOTE E A ENTREGA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1164507 | STDH150 ASIC | Pilhas de I/O | Samsung Electronic |
| 1164508 | STDH150 ASIC | Pilhas do IP de I/O | Samsung Electronic |
| 1164509 | STDH150 ASIC | Travas Primitivas | Samsung Electronic |
| 1164510 | STDH150 ASIC | Memórias Elevadas Da Densidade | Samsung Electronic |
| 1164511 | STDH150 ASIC | Flip/Flops Primitivo | Samsung Electronic |
| 1164512 | STDH150 ASIC | Pilhas Primitivas Da Lógica | Samsung Electronic |
| 1164513 | STDH150 ASIC | Fanouts Máximo | Samsung Electronic |
| 1164514 | STDH150 ASIC | Vista geral Primitiva | Samsung Electronic |
| 1164515 | STDH150 ASIC | Miscellanies Primitivos | Samsung Electronic |
| 1164516 | STDH150 ASIC | Entrada/Pilhas Output | Samsung Electronic |
| 1164517 | STDH150 ASIC | Características | Samsung Electronic |
| 1164518 | STDH150 ASIC | Introdução | Samsung Electronic |
| 1164519 | STDH150 ASIC | Folheto STDH150 | Samsung Electronic |
| 1164520 | STDH150 ASIC | Potencialidades Do Pacote | Samsung Electronic |
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