Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
16081 | 1N4007 | RETIFICADOR DO PLÁSTICO DA FINALIDADE GERAL | Shanghai Sunrise Electronics |
16082 | 1N4007 | RETIFICADOR DE SILICONE PLÁSTICO | TRSYS |
16083 | 1N4007 | 1000 V, diodos retificadores de silício | BKC International Electronics |
16084 | 1N4007 | 1 AMP retificador de silicone plástico | COLLMER SEMICONDUCTOR INC |
16085 | 1N4007 | 1000 V, 1 A retificador de silício | Invac |
16086 | 1N4007 | V (RRM): 1000V; 1A silício retificador de diodo. Para aplicação industrial | International Rectifier |
16087 | 1N4007 | Retificador de silício 1.0A. Max pico recorrente 1000V tensão reversa. | Jinan Gude Electronic Device |
16088 | 1N4007 | 1.0A, 1000V ultra-retificador recuperação rápida | MCC |
16089 | 1N4007 | 1000 V, 1 A, silício plástico rectificar | TRANSYS Electronics Limited |
16090 | 1N4007-1300 | Retificador De Silicone | Diotec Elektronische |
16091 | 1N4007-B | Retificadores Padrão | Diodes |
16092 | 1N4007-G | Retificador de Uso Geral, V RRM = 1000V, V R = 1000V, eu O = 1A | Comchip Technology |
16093 | 1N4007-T | Retificadores Padrão | Diodes |
16094 | 1N4007-T3 | RETIFICADOR DE SILICONE 1.0A | Won-Top Electronics |
16095 | 1N4007-TB | RETIFICADOR DE SILICONE 1.0A | Won-Top Electronics |
16096 | 1N4007/L | RETIFICADOR 1.0A | Vishay |
16097 | 1N4007A | ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS DO RETIFICADOR DE SILICONE | DC Components |
16098 | 1N4007E | SILICONE RECTIFER | Zowie Technology Corporation |
16099 | 1N4007E | GENERAL DIODOS DO 1A | Leshan Radio Company |
16100 | 1N4007E | Diodos | Vishay |
16101 | 1N4007FF | Retificador Do Padrão Do 1A 1000V | ON Semiconductor |
16102 | 1N4007FF | Retificador Do Padrão Do 1A 1000V | ON Semiconductor |
16103 | 1N4007FF | Retificador Do Padrão Do 1A 1000V | ON Semiconductor |
16104 | 1N4007FF | Retificador Do Padrão Do 1A 1000V | ON Semiconductor |
16105 | 1N4007G | Retificadores Padrão | Diodes |
16106 | 1N4007G | O VIDRO PASSIVATED O RETIFICADOR PLÁSTICO da JUNÇÃO, tensão reversa - 50 a 1300 volts, corrente para diante - 1.0Amperes | Chenyi Electronics |
16107 | 1N4007G | TENSÃO PASSIVATED VIDRO DO RETIFICADOR DA JUNÇÃO: 50 À CORRENTE 1000V: 1.0A | Shanghai Sunrise Electronics |
16108 | 1N4007G | RETIFICADOR 1.0A PASSIVATED VIDRO | Won-Top Electronics |
16109 | 1N4007G | RETIFICADORES DE SILICONE PASSIVATED VIDRO DA JUNÇÃO | EIC discrete Semiconductors |
16110 | 1N4007G | RETIFICADOR PASSIVATED VIDRO DA JUNÇÃO | GOOD-ARK Electronics |
16111 | 1N4007G | 1.0 RETIFICADORES PASSIVATED AMP.GLASS | Jinan Gude Electronic Device |
16112 | 1N4007G | RETIFICADORES PASSIVATED VIDRO DE 1.0 AMPÈRE | Bytes |
16113 | 1N4007G | RETIFICADORES PASSIVATED VIDRO DE 1.0 AMPÈRE | Formosa MS |
16114 | 1N4007G | DIODOS DA FINALIDADE GERAL GPP DO 1A | Leshan Radio Company |
16115 | 1N4007G | Pacote de vidro de Rectifiers(Rugged, usando uma construção alloyed de alta temperatura) | Philips |
16116 | 1N4007G | RETIFICADOR PASSIVATED VIDRO DO PLÁSTICO DA JUNÇÃO | Rectron Semiconductor |
16117 | 1N4007G | ESPECIFICAÇÕES TÉCNICAS DO RETIFICADOR PASSIVATED VIDRO | DC Components |
16118 | 1N4007G | Retificador: Padrão | Taiwan Semiconductor |
16119 | 1N4007G | RETIFICADOR PASSIVATED VIDRO DO PLÁSTICO DA JUNÇÃO | Shanghai Sunrise Electronics |
16120 | 1N4007G-T | Retificadores Padrão | Diodes |
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