| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 256201 | BD241 | PODER PLÁSTICO TRANSISTORSS DO SILICONE COMPLEMENTAR | Boca Semiconductor Corporation |
| 256202 | BD241 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | TRSYS |
| 256203 | BD241 | Silício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. Vcer 55V, 40W. | General Electric Solid State |
| 256204 | BD241 | 55 V NPN transistor de potência de silício | TRANSYS Electronics Limited |
| 256205 | BD241A | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256206 | BD241A | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 256207 | BD241A | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 256208 | BD241A | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Power Innovations |
| 256209 | BD241A | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256210 | BD241A | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256211 | BD241A | PODER TRANSISTORS(3A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256212 | BD241A | PODER PLÁSTICO TRANSISTORSS DO SILICONE COMPLEMENTAR | Boca Semiconductor Corporation |
| 256213 | BD241A | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | TRSYS |
| 256214 | BD241A | Silício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. Vcer 70V, 40W. | General Electric Solid State |
| 256215 | BD241A | 70 V NPN transistor de potência de silício | TRANSYS Electronics Limited |
| 256216 | BD241A | NPN transistor de silício plástico potência. Projetado para uso em comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 60VDC, VCES = 70Vdc, o VEB = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
| 256217 | BD241ATU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256218 | BD241B | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256219 | BD241B | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 256220 | BD241B | TRANSISTOR DE PODER BAIXOS EPITAXIAL DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 256221 | BD241B | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Power Innovations |
| 256222 | BD241B | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256223 | BD241B | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256224 | BD241B | PODER TRANSISTORS(3A, 40w) | MOSPEC Semiconductor |
| 256225 | BD241B | PODER PLÁSTICO TRANSISTORSS DO SILICONE COMPLEMENTAR | Boca Semiconductor Corporation |
| 256226 | BD241B | Transistor De Poder Plásticos Do Silicone Complementar | Motorola |
| 256227 | BD241B | SILICONE COMPLEMENTAR DOS TRANSISTOR DE PODER | ON Semiconductor |
| 256228 | BD241B | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | TRSYS |
| 256229 | BD241B | Silício epitaxial base NPN VERSAWATT transistor. Vcer 90V, 40W. | General Electric Solid State |
| 256230 | BD241B | 90 V NPN transistor de potência de silício | TRANSYS Electronics Limited |
| 256231 | BD241B | NPN plástico potência silicone NPN transistor. Projetado para uso em comutação e amplificador de aplicações de uso geral. VCEO = 80Vdc, VCES = 90Vdc, o VEB = 5Vdc, Ic = 3Adc, Pd = 40W | USHA India LTD |
| 256232 | BD241BFP | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 256233 | BD241BFP | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256234 | BD241BFP | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256235 | BD241BTU | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256236 | BD241C | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 256237 | BD241C | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | ST Microelectronics |
| 256238 | BD241C | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Power Innovations |
| 256239 | BD241C | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
| 256240 | BD241C | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
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