| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 259361 | BF772 | Transistor do RF do silicone de NPN (para a aplicação em tuners Tevê-sentados) | Siemens |
| 259362 | BF775 | RF-Bipolar - especial apropriado para tuners Tevê-Sentados e DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA | Infineon |
| 259363 | BF775 | Transistor do RF do silicone de NPN (especial apropriado para tuners Tevê-sentados e DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 259364 | BF775A | Transistor do RF do silicone de NPN especial... | Infineon |
| 259365 | BF775A | Transistor do RF do silicone de NPN (especial apropriado para amplificadores e tuners Tevê-sentados) | Siemens |
| 259366 | BF775W | Transistor do RF do silicone de NPN especial... | Infineon |
| 259367 | BF775W | Transistor do RF do silicone de NPN (especial apropriado para tuners Tevê-sentados e DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA) | Siemens |
| 259368 | BF777 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN (PARA CONVERSORES DE FREQÜÊNCIA DE UHF/VHF E OSCILADORES LOCAIS) | Siemens |
| 259369 | BF799 | RF-Bipolar - para a aplicação broadband linear do amplificador até 500 megahertz e como o excitador do filtro da SERRA em tuners da tevê | Infineon |
| 259370 | BF799 | Transistor do RF do silicone de NPN para linear... | Infineon |
| 259371 | BF799 | TRANSISTOR do RF do SILICONE de NPN (para aplicações broadband lineares do amplificador excitador do filtro da SERRA de até 500 megahertz em tuners da tevê) | Siemens |
| 259372 | BF799W | RF-Bipolar - para a aplicação broadband linear do amplificador até 500 megahertz e como o excitador do filtro da SERRA em tuners da tevê | Infineon |
| 259373 | BF799W | Transistor do RF do silicone de NPN (para aplicações broadband lineares do amplificador até o excitador do filtro da SERRA 500MHz em tuners da tevê) | Siemens |
| 259374 | BF819 | Transistor de alta tensão de NPN | Philips |
| 259375 | BF820 | Transistor da alta tensão de NPN | Philips |
| 259376 | BF820 | Transistor Pequenos Do Sinal (NPN) | General Semiconductor |
| 259377 | BF820 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 259378 | BF820 | NPN de alta tensão | NXP Semiconductors |
| 259379 | BF820 | 0.250W de alta tensão NPN Transistor SMD. V VCEO, 0.050A Ic, 50 hFE. BF821 Complementar | Continental Device India Limited |
| 259380 | BF820W | Transistor de alta tensão de NPN | Philips |
| 259381 | BF820W | Transistor NPN de alta tensão | NXP Semiconductors |
| 259382 | BF821 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 259383 | BF821 | Transistor de alta tensão de PNP | Philips |
| 259384 | BF821 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 259385 | BF821 | PNP de alta tensão | NXP Semiconductors |
| 259386 | BF821 | 0.250W High Voltage PNP Transistor SMD. V VCEO, 0.050A Ic, 50 hFE. BF820 Complementar | Continental Device India Limited |
| 259387 | BF822 | Transistor da alta tensão de NPN | Philips |
| 259388 | BF822 | Transistor Pequenos Do Sinal (NPN) | General Semiconductor |
| 259389 | BF822 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 259390 | BF822 | NPN de alta tensão | NXP Semiconductors |
| 259391 | BF822 | 0.250W de alta tensão NPN Transistor SMD. 250V VCEO, 0.050A Ic, 50 hFE. BF823 Complementar | Continental Device India Limited |
| 259392 | BF822W | Transistor de alta tensão de NPN | Philips |
| 259393 | BF823 | Transistor da alta tensão de PNP | Philips |
| 259394 | BF823 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 259395 | BF823 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 259396 | BF823 | PNP de alta tensão | NXP Semiconductors |
| 259397 | BF823 | 0.250W High Voltage PNP Transistor SMD. 250V VCEO, 0.050A Ic, 50 hFE. BF822 Complementar | Continental Device India Limited |
| 259398 | BF824 | Transistor médio da freqüência de PNP | Philips |
| 259399 | BF824 | PNP transistor de média freqüência | NXP Semiconductors |
| 259400 | BF824W | Transistor médio da freqüência de PNP | Philips |
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