| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 26121 | 1N5527B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26122 | 1N5527B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26123 | 1N5527B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26124 | 1N5527BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26125 | 1N5527C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26126 | 1N5527C | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26127 | 1N5527D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26128 | 1N5527D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26129 | 1N5528 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26130 | 1N5528 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26131 | 1N5528 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26132 | 1N5528A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26133 | 1N5528A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 8.2 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26134 | 1N5528B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26135 | 1N5528B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26136 | 1N5528B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26137 | 1N5528B | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26138 | 1N5528B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 8.2 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26139 | 1N5528B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26140 | 1N5528B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26141 | 1N5528B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26142 | 1N5528BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26143 | 1N5528C | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
| 26144 | 1N5528C | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 8.2 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -2% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26145 | 1N5528D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26146 | 1N5528D | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26147 | 1N5529 | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26148 | 1N5529 | DIODOS DO AVALANCHE DA BAIXA TENSÃO 0.4W | Jinan Gude Electronic Device |
| 26149 | 1N5529 | DESEMPENHO ELEVADO DOS DIODOS DO AVALANCHE ZENER DA BAIXA TENSÃO: RUÍDO BAIXO, ESCAPAMENTO BAIXO | Knox Semiconductor Inc |
| 26150 | 1N5529A | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26151 | 1N5529A | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 9.1 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -10% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26152 | 1N5529B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26153 | 1N5529B | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26154 | 1N5529B | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26155 | 1N5529B | 0,4 W, baixo diodo avalanche de tensão. Tensão nominal Zener 9.1 V. Teste atual 1.0 mAcc. + -5% Tolerância. | Jinan Gude Electronic Device |
| 26156 | 1N5529B (DO35) | Avalanche Zener Da Baixa Tensão | Microsemi |
| 26157 | 1N5529B-1 | CARACTERÍSTICAS REVERSAS BAIXAS DO ESCAPAMENTO | Compensated Devices Incorporated |
| 26158 | 1N5529B-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26159 | 1N5529BUR-1 | Baixa Tensão Avalanche Zener | Microsemi |
| 26160 | 1N5529C | Finalidade Geral Do Diodo Leaded De Zener | Central Semiconductor |
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