| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 26721 | 1N5694 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26722 | 1N5695 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26723 | 1N5696 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26724 | 1N5697 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26725 | 1N5698 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26726 | 1N5699 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26727 | 1N5700 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26728 | 1N5701 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26729 | 1N5702 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26730 | 1N5703 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26731 | 1N5704 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26732 | 1N5705 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26733 | 1N5706 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26734 | 1N5707 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26735 | 1N5708 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26736 | 1N5709 | DIODOS ABRUPTOS DO VARACTOR DA FINALIDADE GERAL | Knox Semiconductor Inc |
| 26737 | 1N571 | 12 V, 500 mA, ouro ligado germânio diodo | BKC International Electronics |
| 26738 | 1N5711 | DIODO PEQUENO DE SCHOTTKY DO SINAL | ST Microelectronics |
| 26739 | 1N5711 | Diodos De Schottky | Vishay |
| 26740 | 1N5711 | Retificador De Schottky | Microsemi |
| 26741 | 1N5711 | Diodos De Schottky | Diodes |
| 26742 | 1N5711 | Diodos De Schottky | General Semiconductor |
| 26743 | 1N5711 | DIODO PEQUENO DE SCHOTTKY DO SINAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 26744 | 1N5711 | DIODO PEQUENO DE SCHOTTKY DO SINAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 26745 | 1N5711 | Diodos de barreira de Schottky para aplicações da finalidade geral | Agilent (Hewlett-Packard) |
| 26746 | 1N5711 | DIODOS DE BARREIRA DE SCHOTTKY | Compensated Devices Incorporated |
| 26747 | 1N5711 | Diodo Do Switching Da Barreira De Schottky | Micro Commercial Components |
| 26748 | 1N5711 | 15mA, 60V ultra-retificador recuperação rápida | MCC |
| 26749 | 1N5711-1 | DIODOS DE BARREIRA DE SCHOTTKY | Compensated Devices Incorporated |
| 26750 | 1N5711CSM | DIODO DE SCHOTTKY NO PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETIC DA MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS DA CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 26751 | 1N5711UR-1 | DIODOS DE BARREIRA DE SCHOTTKY | Compensated Devices Incorporated |
| 26752 | 1N5711W | Diodos De Schottky | Diodes |
| 26753 | 1N5711W-7-F | SUPORTE DE SUPERFÍCIE Diodo de barreira Schottky | Diodes |
| 26754 | 1N5711WS | Diodos De Schottky | Diodes |
| 26755 | 1N5711WS-7 | 70V; Montar 15mA superfície diodo de barreira schottky. Idealizado para a inserção automática | Diodes |
| 26756 | 1N5711WS-7-F | SUPORTE DE SUPERFÍCIE Diodo de barreira Schottky | Diodes |
| 26757 | 1N5712 | Diodos de barreira de Schottky para aplicações da finalidade geral | Agilent (Hewlett-Packard) |
| 26758 | 1N5712-1 | DIODOS DE BARREIRA DE SCHOTTKY | Compensated Devices Incorporated |
| 26759 | 1N5712UR-1 | DIODOS DE BARREIRA DE SCHOTTKY | Compensated Devices Incorporated |
| 26760 | 1N5719 | PINO DIODO DO SILICONE | Advanced Semiconductor |
| | | |
