| 385300 | DSWA9072 | DAICO HDI & Conjuntos Secundários | DAICO Industries |
| 385301 | DSWM5077 | DAICO Comuta SPST, SP11T | DAICO Industries |
| 385302 | DSWM6309 | DAICO HDI & Conjuntos Secundários | DAICO Industries |
| 385303 | DSWM9040 | DAICO HDI & Conjuntos Secundários | DAICO Industries |
| 385304 | DSWM9073 | DAICO HDI & Conjuntos Secundários | DAICO Industries |
| 385305 | DSWT1981 | DAICO Comuta SPST, TRANSFERÊNCIA | DAICO Industries |
| 385306 | DSWT2180 | DAICO Comuta SPST, TRANSFERÊNCIA | DAICO Industries |
| 385307 | DSWX5034 | DAICO HDI & Conjuntos Secundários | DAICO Industries |
| 385308 | DSWX9078 | DAICO HDI & Conjuntos Secundários | DAICO Industries |
| 385309 | DSX321G | Tipo Ressonadores de SMD Do Cristal | etc |
| 385310 | DSZ412SE | Diodo Do Avalanche | Dynex Semiconductor |
| 385311 | DSZ412SE44 | Diodo Do Avalanche | Dynex Semiconductor |
| 385312 | DS_CELSIUS_H210 | Poder CÉLSIO da estação de trabalho H210 no formato do caderno | Fujitsu Microelectronics |
| 385313 | DS_CELSIUS_M420 | M420 CÉLSIO começam mais poder | Fujitsu Microelectronics |
| 385314 | DS_K1S161611A | memória de acesso aleatório do Uni-Transistor do bocado 1Mx16 | Samsung Electronic |
| 385315 | DS_K1S16161CA | memória de acesso aleatório do Uni-Transistor da modalidade da página do bocado 1Mx16 | Samsung Electronic |
| 385316 | DS_K4D263238D | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais | Samsung Electronic |
| 385317 | DS_K4S161622D | 1M x 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 385318 | DS_K4S161622E | 1M x 16 SDRAM | Samsung Electronic |
| 385319 | DS_K6F1016U4C | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado de 64Kx16 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
| 385320 | DS_K6F2008U2E | RAM cheia da estática do CMOS do poder baixo super do bocado 256Kx8 e da baixa tensão | Samsung Electronic |
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