Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
42921 | 28LV256SM-4 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns. | Turbo IC |
42922 | 28LV256SM-5 | Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42923 | 28LV256SM-5 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns. | Turbo IC |
42924 | 28LV256SM-6 | Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42925 | 28LV256SM-6 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns. | Turbo IC |
42926 | 28LV256TC-3 | Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42927 | 28LV256TC-3 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns. | Turbo IC |
42928 | 28LV256TC-4 | Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42929 | 28LV256TC-4 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns. | Turbo IC |
42930 | 28LV256TC-5 | Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42931 | 28LV256TC-5 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns. | Turbo IC |
42932 | 28LV256TC-6 | Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42933 | 28LV256TC-6 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns. | Turbo IC |
42934 | 28LV256TI-3 | Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42935 | 28LV256TI-3 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns. | Turbo IC |
42936 | 28LV256TI-4 | Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42937 | 28LV256TI-4 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns. | Turbo IC |
42938 | 28LV256TI-5 | Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42939 | 28LV256TI-5 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns. | Turbo IC |
42940 | 28LV256TI-6 | Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42941 | 28LV256TI-6 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns. | Turbo IC |
42942 | 28LV256TM-3 | Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42943 | 28LV256TM-3 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns. | Turbo IC |
42944 | 28LV256TM-4 | Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42945 | 28LV256TM-4 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns. | Turbo IC |
42946 | 28LV256TM-5 | Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42947 | 28LV256TM-5 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns. | Turbo IC |
42948 | 28LV256TM-6 | Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROM | Turbo IC |
42949 | 28LV256TM-6 | CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns. | Turbo IC |
42950 | 28LV64 | 64K-BIT CMOS EEPROM PARALELO | Catalyst Semiconductor |
42951 | 28LV64A | O produto de Note:This tornou-se ' obsolete ' e é não mais longo oferecido porque um dispositivo viable para design.28LV64A é 64K um bocado CMOS EEPROM paralelo organizado como as palavras 8K por 8 bocados. O 28LV64A é alcançado com | Microchip |
42952 | 28LV64A-20/L | 64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8) | Microchip |
42953 | 28LV64A-20/P | 64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8) | Microchip |
42954 | 28LV64A-20/SO | 64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8) | Microchip |
42955 | 28LV64A-20/TS | 64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8) | Microchip |
42956 | 28LV64A-20/VS | 64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8) | Microchip |
42957 | 28LV64A-20I/L | 64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8) | Microchip |
42958 | 28LV64A-20I/P | 64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8) | Microchip |
42959 | 28LV64A-20I/SO | 64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8) | Microchip |
42960 | 28LV64A-20I/TS | 64K (baixa tensão CMOS EEPROM de 8K x 8) | Microchip |
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