Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
44201 | 2N1989 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44202 | 2N1990 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44203 | 2N1991 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44204 | 2N1991 | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
44205 | 2N2017 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44206 | 2N2023 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44207 | 2N2023 | V (MRR / DRM): 25V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44208 | 2N2024 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44209 | 2N2024 | V (MRR / DRM): 50V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44210 | 2N2025 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44211 | 2N2025 | V (MRR / DRM): 100V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44212 | 2N2026 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44213 | 2N2026 | V (MRR / DRM): 150V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44214 | 2N2027 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44215 | 2N2027 | V (MRR / DRM): 200V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44216 | 2N2028 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44217 | 2N2028 | V (MRR / DRM): 250V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44218 | 2N2029 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44219 | 2N2029 | V (MRR / DRM): 300V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44220 | 2N2030 | Retificador Controlado Do Silicone | Microsemi |
44221 | 2N2030 | V (MRR / DRM): 400V; 110A RMS SCR. Para aplicações de controle de fase puspose gerais | International Rectifier |
44222 | 2N2049 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44223 | 2N2060 | NPN Dual Transistor | Microsemi |
44224 | 2N2060 | Transistor Pequeno Leaded Do Sinal Duplo | Central Semiconductor |
44225 | 2N2060 | NPN de silício dupla amplificador transistor. | Motorola |
44226 | 2N2060(CAN) | Transistor Do Silicone NPN | Semicoa Semiconductor |
44227 | 2N2060A | TRANSISTOR DUPLO DO AMPLIFICADOR | SemeLAB |
44228 | 2N2060A | Transistor Pequeno Leaded Do Sinal Duplo | Central Semiconductor |
44229 | 2N2060J | Transistor Do Silicone NPN | Semicoa Semiconductor |
44230 | 2N2060JV | Transistor Do Silicone NPN | Semicoa Semiconductor |
44231 | 2N2060JX | Transistor Do Silicone NPN | Semicoa Semiconductor |
44232 | 2N2060L | NPN Dual Transistor | Microsemi |
44233 | 2N2060M | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
44234 | 2N2079 | Transistor De Poder Do Germânio | Semitronics |
44235 | 2N2079A | Transistor De Poder Do Germânio | GPD Optoelectronic Devices |
44236 | 2N20906A | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
44237 | 2N20907A | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
44238 | 2N2102 | NPN PLANAR EPITAXIAL | ST Microelectronics |
44239 | 2N2102 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MÉDIOS DE PODER DO AF DO SILICONE | Micro Electronics |
44240 | 2N2102 | AMPLIFICADOR E INTERRUPTOR DA FINALIDADE GERAL | SGS Thomson Microelectronics |
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