| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 44681 | 2N2894 | INTERRUPTORES SATURATED HIGH-SPEED | ST Microelectronics |
| 44682 | 2N2894A | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO18 | SemeLAB |
| 44683 | 2N2894ACSM | ALTA VELOCIDADE, PODER MÉDIO, TRANSISTOR Da FINALIDADE GERAL De PNP Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 44684 | 2N2894CSM | ALTA VELOCIDADE, PODER MÉDIO, TRANSISTOR Da FINALIDADE GERAL De PNP Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM PARA APLICAÇÕES ELEVADAS Da CONFIABILIDADE | SemeLAB |
| 44685 | 2N2894DCSM | ALTA VELOCIDADE DUPLA, PODER MÉDIO, TRANSISTOR Da FINALIDADE GERAL De PNP Em um PACOTE DE SUPERFÍCIE CERÂMICO HERMETICALLY SELADO Da MONTAGEM | SemeLAB |
| 44686 | 2N2895 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44687 | 2N2895 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO18 | SemeLAB |
| 44688 | 2N2896 | Silicone Rectifiers(Reverse Controlado Que Obstrui Tiristores Do Triode) | Motorola |
| 44689 | 2N2896 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44690 | 2N2896 | 1.800W Uso Geral NPN metal pode transistor. 90V VCEO, 1.000A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44691 | 2N2897 | Silicone Rectifiers(Reverse Controlado Que Obstrui Tiristores Do Triode) | Motorola |
| 44692 | 2N2897 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44693 | 2N2898 | Silicone Rectifiers(Reverse Controlado Que Obstrui Tiristores Do Triode) | Motorola |
| 44694 | 2N2899 | Silicone Rectifiers(Reverse Controlado Que Obstrui Tiristores Do Triode) | Motorola |
| 44695 | 2N2903 | TRANSISTOR DUPLO DO SILICONE DE NPN | Central Semiconductor |
| 44696 | 2N2903A | TRANSISTOR DUPLO DO SILICONE DE NPN | Central Semiconductor |
| 44697 | 2N2904 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 44698 | 2N2904 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 44699 | 2N2904 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 44700 | 2N2904 | TRANSISTOR DA FINALIDADE GERAL PNP | SemeLAB |
| 44701 | 2N2904 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44702 | 2N2904 | Tipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0600 de 2C2904A | Semicoa Semiconductor |
| 44703 | 2N2904 | 0.600W Uso Geral PNP metal pode transistor. VCEO 40V, 0.600A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44704 | 2N2904 | PNP sinal pequeno amplificador de uso geral e switch. | Fairchild Semiconductor |
| 44705 | 2N2904A | Transistor de PNP | Microsemi |
| 44706 | 2N2904A | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 44707 | 2N2904A | TRANSISTOR PLANAR DO SWITCHING DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
| 44708 | 2N2904A | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 44709 | 2N2904A | Dispositivo bipolar de PNP em um pacote hermetically selado do metal TO39 | SemeLAB |
| 44710 | 2N2904A | Tipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0600 de 2C2904A | Semicoa Semiconductor |
| 44711 | 2N2904A | 0.600W Uso Geral PNP metal pode transistor. 60V VCEO, 0.600A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44712 | 2N2904A | PNP sinal pequeno amplificador de uso geral e switch. | Fairchild Semiconductor |
| 44713 | 2N2904AL | Transistor de PNP | Microsemi |
| 44714 | 2N2904AUB | Tipo Polaridade PNP Da Microplaqueta Da Geometria 0600 de 2C2904A | Semicoa Semiconductor |
| 44715 | 2N2904E | Transistor Do Switching | Korea Electronics (KEC) |
| 44716 | 2N2905 | Transistor de PNP | Microsemi |
| 44717 | 2N2905 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 44718 | 2N2905 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 44719 | 2N2905 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 44720 | 2N2905 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES DA FINALIDADE GERAL | SGS Thomson Microelectronics |
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