| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 48121 | 2N5955 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48122 | 2N5955 | Silicon PNP de média potência transistor. -70V, 40W. | General Electric Solid State |
| 48123 | 2N5956 | Finalidade Geral Leaded De Transistor De Poder | Central Semiconductor |
| 48124 | 2N5956 | Silicon PNP de média potência transistor. -50V, 40W. | General Electric Solid State |
| 48125 | 2N5961 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48126 | 2N5961 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48127 | 2N5961_D27Z | Finalidade Geral Amplifer de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48128 | 2N5962 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48129 | 2N5962 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48130 | 2N5962_D74Z | Finalidade Geral Amplifer de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 48131 | 2N5963 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
| 48132 | 2N5971 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 48133 | 2N5971 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
| 48134 | 2N5986 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 12 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE | Motorola |
| 48135 | 2N5987 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 12 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE | Motorola |
| 48136 | 2N5988 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 12 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE | Motorola |
| 48137 | 2N5989 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 12 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE 40.60.80 VOLTS 100 WATTS | Motorola |
| 48138 | 2N5989 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 12 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE | Motorola |
| 48139 | 2N5991 | SILICONE COMPLEMENTAR DE 12 TRANSISTOR DE PODER DO AMPÈRE | Motorola |
| 48140 | 2N6010 | Transistor Do Silicone | Semiconductor Technology |
| 48141 | 2N6027 | Tiristor Leaded POSTO | Central Semiconductor |
| 48142 | 2N6027 | Transistor Programável De Unijunction | ON Semiconductor |
| 48143 | 2N6027 | Transistor unijunção programável. | General Electric Solid State |
| 48144 | 2N6027 | Silicon unijunction programável transistor, 40V, 150mA | Planeta |
| 48145 | 2N6027-D | Transistor Programável De Unijunction | ON Semiconductor |
| 48146 | 2N6027RL1 | Transistor Programável De Unijunction | ON Semiconductor |
| 48147 | 2N6027RLRA | Transistor Programável De Unijunction | ON Semiconductor |
| 48148 | 2N6028 | Tiristor Leaded UJT | Central Semiconductor |
| 48149 | 2N6028 | UJT Programável | ON Semiconductor |
| 48150 | 2N6028 | Transistor unijunção programável. | General Electric Solid State |
| 48151 | 2N6028 | Silicon unijunction programável transistor, 40V, 150mA | Planeta |
| 48152 | 2N6028RLRA | UJT Programável | ON Semiconductor |
| 48153 | 2N6028RLRM | UJT Programável | ON Semiconductor |
| 48154 | 2N6028RLRP | UJT Programável | ON Semiconductor |
| 48155 | 2N6029 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | Central Semiconductor |
| 48156 | 2N6030 | TRANSISTOR DE PODER COMPLEMENTARES DO SILICONE | Central Semiconductor |
| 48157 | 2N6030 | Coletor-emissor Tensão / base: 120Vdc; 16Amp; de alta tensão, de alta potência transistor. Para aplicações de alta potência do amplificador de áudio e circuitos de alta tensão do regulador de comutação | Motorola |
| 48158 | 2N6031 | Transistor Do Elevado-Poder Da Elevado-Tensão | ON Semiconductor |
| 48159 | 2N6031 | Coletor-emissor Tensão / base: 140Vdc; 16Amp; de alta tensão, de alta potência transistor. Para aplicações de alta potência do amplificador de áudio e circuitos de alta tensão do regulador de comutação | Motorola |
| 48160 | 2N6032 | Transistor de NPN | Microsemi |
| | | |
