Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
49161 | 2N6677 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49162 | 2N6677 | 15 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN. | General Electric Solid State |
49163 | 2N6677 | NPN transistor de potência de silício. 15 A, 350 V, 175 W. | Motorola |
49164 | 2N6678 | Transistor de NPN | Microsemi |
49165 | 2N6678 | PODER TRANSISTORS(15A, 175w) | MOSPEC Semiconductor |
49166 | 2N6678 | TRANSISTOR DE PODER DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49167 | 2N6678 | 15 A SwitchMax transistor de potência. Alta tensão tipo NPN. | General Electric Solid State |
49168 | 2N6678 | NPN transistor de potência de silício. 15 A, 400 V, 175 W. | Motorola |
49169 | 2N6686 | Dispositivo Bipolar de NPN | SemeLAB |
49170 | 2N6686 | 25 A SwitchMax transistor de potência. Tipo NPN. | General Electric Solid State |
49171 | 2N6687 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
49172 | 2N6687 | Dispositivo bipolar de NPN em um pacote hermetically selado do metal TO3 | SemeLAB |
49173 | 2N6687 | 25 A SwitchMax transistor de potência. Tipo NPN. | General Electric Solid State |
49174 | 2N6688 | 25 A SwitchMax transistor de potência. Tipo NPN. | General Electric Solid State |
49175 | 2N6689 | Transistor de NPN | Microsemi |
49176 | 2N6690 | TRANSISTOR DO SILICONE DO PODER DE NPN | Microsemi |
49177 | 2N6691 | Transistor de NPN | Microsemi |
49178 | 2N6693 | Transistor de NPN | Microsemi |
49179 | 2N6702 | De alta corrente de silício NPN VERSAWATT transistor. | General Electric Solid State |
49180 | 2N6703 | De alta corrente de silício NPN VERSAWATT transistor. | General Electric Solid State |
49181 | 2N6704 | De alta corrente de silício NPN VERSAWATT transistor. | General Electric Solid State |
49182 | 2N6705 | 0.850W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFE | Continental Device India Limited |
49183 | 2N6707 | 0.850W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFE | Continental Device India Limited |
49184 | 2N6708 | 0.850W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFE | Continental Device India Limited |
49185 | 2N6709 | 0.850W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFE | Continental Device India Limited |
49186 | 2N6710 | 0.850W Uso Geral PNP plástico com chumbo Transistor. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFE | Continental Device India Limited |
49187 | 2N6714 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS PLANAR DO SILICONE DE NPN | Zetex Semiconductors |
49188 | 2N6714 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49189 | 2N6714 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
49190 | 2N6714 | 0.750W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 30V VCEO, 1.000A Ic, 55 - hFE | Continental Device India Limited |
49191 | 2N6714 | NPN SILICONE PLANAR potência média TRANSISTORS | Diodes |
49192 | 2N6715 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS PLANAR DO SILICONE DE NPN | Zetex Semiconductors |
49193 | 2N6715 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49194 | 2N6715 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
49195 | 2N6715 | 0.750W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. 40V VCEO, 1.500A Ic, 55 - hFE | Continental Device India Limited |
49196 | 2N6715 | NPN SILICONE PLANAR potência média TRANSISTORS | Diodes |
49197 | 2N6716 | TRANSISTOR DE PODER MÉDIOS PLANAR DO SILICONE DE NPN | Zetex Semiconductors |
49198 | 2N6716 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE DE NPN | Boca Semiconductor Corporation |
49199 | 2N6716 | Finalidade Geral Do Transistor Pequeno Leaded Do Sinal | Central Semiconductor |
49200 | 2N6716 | 0.850W Uso Geral NPN plástico com chumbo Transistor. VCEO 60V, 1.500A Ic, 80 - hFE | Continental Device India Limited |
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