Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
50681 | 2SA1612-T2 | Transistor do silicone | NEC |
50682 | 2SA1614 | Para comutação de alta velocidade | Panasonic |
50683 | 2SA1615 | Transistor do silicone | NEC |
50684 | 2SA1615(1) | Transistor do silicone | NEC |
50685 | 2SA1615-Z | Transistor do silicone | NEC |
50686 | 2SA1617 | Transistor Do Silicone PNP | Hitachi Semiconductor |
50687 | 2SA1617 | Silicone PNP Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
50688 | 2SA1618 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da finalidade geral de freqüência audio | TOSHIBA |
50689 | 2SA1619 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
50690 | 2SA1619A | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - Geral-use a Baixo-Freqüência Amplifires | Panasonic |
50691 | 2SA1620 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da freqüência audio | TOSHIBA |
50692 | 2SA1621 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações audio do amplificador de poder | TOSHIBA |
50693 | 2SA1624 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | SANYO |
50694 | 2SA1624 | TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | SANYO |
50695 | 2SA1625 | Amplificador da finalidade de TRANSISTOR(general do SILICONE de PNP e switching de alta velocidade) | NEC |
50696 | 2SA1625 | Comutadores de alta tensão. Tensão colector-base: VCBO = -400V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -400V. Tensão emissor-base Vebo = 7V. Dissipação Collector: Pc (max) = o.75W. | USHA India LTD |
50697 | 2SA1625-T | Transistor do silicone | NEC |
50698 | 2SA1625-T/JD | Transistor do silicone | NEC |
50699 | 2SA1625-T/JM | Transistor do silicone | NEC |
50700 | 2SA1625/JD | Transistor do silicone | NEC |
50701 | 2SA1625/JM | Transistor do silicone | NEC |
50702 | 2SA1626 | Amplificador da finalidade de TRANSISTOR(general do SILICONE de PNP e switching de alta velocidade) | NEC |
50703 | 2SA1627 | Amplificador da finalidade de TRANSISTOR(general do SILICONE de PNP e switching de alta velocidade) | NEC |
50704 | 2SA1633 | TRANSISTOR | Unknow |
50705 | 2SA1633 | TRANSISTOR | Unknow |
50706 | 2SA1634 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
50707 | 2SA1634 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
50708 | 2SA1635 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
50709 | 2SA1635 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
50710 | 2SA1641 | Do Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de PNP Aplicações Elevado-Atuais Do Switching | SANYO |
50711 | 2SA1645 | Tipo epitaxial transistor de PNP do silicone | NEC |
50712 | 2SA1645-Z | Tipo epitaxial transistor de PNP do silicone | NEC |
50713 | 2SA1645-Z-E1 | Tipo epitaxial transistor de PNP do silicone | NEC |
50714 | 2SA1646 | Switching de alta velocidade | NEC |
50715 | 2SA1646-Z | Switching de alta velocidade | NEC |
50716 | 2SA1646-Z-E1 | Switching de alta velocidade | NEC |
50717 | 2SA1647 | Switching de alta velocidade | NEC |
50718 | 2SA1647-Z | Switching de alta velocidade | NEC |
50719 | 2SA1647-Z-E1 | Switching de alta velocidade | NEC |
50720 | 2SA1647-Z-E2 | Switching de alta velocidade | NEC |
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