| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 51201 | 2SA497-O | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51202 | 2SA497-O | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51203 | 2SA497-R | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51204 | 2SA497-R | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51205 | 2SA497-Y | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51206 | 2SA497-Y | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51207 | 2SA498 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51208 | 2SA498 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51209 | 2SA498 | PNP transistor para aplicações de amplificador de potência média | TOSHIBA |
| 51210 | 2SA498-O | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51211 | 2SA498-O | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51212 | 2SA498-R | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51213 | 2SA498-R | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51214 | 2SA498-Y | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51215 | 2SA498-Y | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE PNP | Unknow |
| 51216 | 2SA505 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE PNP TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 51217 | 2SA510 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 51218 | 2SA510 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 51219 | 2SA512 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 51220 | 2SA512 | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE PNP | TOSHIBA |
| 51221 | 2SA52 | TRANSISTOR DE JUNÇÃO DA LIGA DO GERMÂNIO PNP | Unknow |
| 51222 | 2SA52 | TRANSISTOR DE JUNÇÃO DA LIGA DO GERMÂNIO PNP | Unknow |
| 51223 | 2SA532 | Amplificadores e interruptores médios de poder | Micro Electronics |
| 51224 | 2SA539 | Amplificador de baixa frequência. Tensão colector-base: VCBO = -60V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -45V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector: Pc (max) = 400mW. | USHA India LTD |
| 51225 | 2SA542 | Amplificador de baixa frequência. Tensão colector-base: VCBO = -30V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -25V. Tensão emissor-base Vebo = 5V. Dissipação Collector: Pc (max) = 250mW. | USHA India LTD |
| 51226 | 2SA561 | TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP | Micro Electronics |
| 51227 | 2SA562 | TO-92 Plástico-Plastic-Encapsulate Transistor | Unknow |
| 51228 | 2SA562 | TO-92 Plástico-Plastic-Encapsulate Transistor | Unknow |
| 51229 | 2SA562TM | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações baixas do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador de poder da freqüência audio que comutam aplicações | TOSHIBA |
| 51230 | 2SA564 | Amplificadores do nível baixo e da finalidade geral | Micro Electronics |
| 51231 | 2SA564 | Transistor Pequenos Do Sinal Da Freqüência Audio | Semiconductor Technology |
| 51232 | 2SA573 | TRANSISTOR DO SI PNP | Unknow |
| 51233 | 2SA573 | TRANSISTOR DO SI PNP | Unknow |
| 51234 | 2SA574 | TRANSISTOR DO SI PNP | Unknow |
| 51235 | 2SA574 | TRANSISTOR DO SI PNP | Unknow |
| 51236 | 2SA603 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Unknow |
| 51237 | 2SA603 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP | Unknow |
| 51238 | 2SA606 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | Unknow |
| 51239 | 2SA606 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | Unknow |
| 51240 | 2SA607 | TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DE PNP/NPN | Unknow |
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