| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 53801 | 2SC3053 | 150mW SMD NPN transistor, classificação máxima: 25V VCEO, 30mA Ic, 35-180 hFE. correspondem 2SC710 | Isahaya Electronics Corporation |
| 53802 | 2SC3059 | Transistor De Poder De alta velocidade Do Silicone | Fujitsu Microelectronics |
| 53803 | 2SC3059 | Transistor De Poder De alta velocidade Do Silicone | Fujitsu Microelectronics |
| 53804 | 2SC3059 | Transistor De Poder De alta velocidade Do Silicone | Fujitsu Microelectronics |
| 53805 | 2SC3060 | Transistor De Poder De alta velocidade Do Silicone | Fujitsu Microelectronics |
| 53806 | 2SC3060 | Transistor De Poder De alta velocidade Do Silicone | Fujitsu Microelectronics |
| 53807 | 2SC3060 | Transistor De Poder De alta velocidade Do Silicone | Fujitsu Microelectronics |
| 53808 | 2SC3061 | Transistor De Poder De alta velocidade Do Silicone | Fujitsu Microelectronics |
| 53809 | 2SC3061 | Transistor De Poder De alta velocidade Do Silicone | Fujitsu Microelectronics |
| 53810 | 2SC3061 | Transistor De Poder De alta velocidade Do Silicone | Fujitsu Microelectronics |
| 53811 | 2SC3063 | Dispositivo De Poder - Transistor De Poder - Outros | Panasonic |
| 53812 | 2SC3064 | Silicone Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53813 | 2SC3064 | Silicone Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53814 | 2SC3064 | Silicone Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53815 | 2SC3065 | Silicone Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53816 | 2SC3065 | Silicone Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53817 | 2SC3065 | Silicone Planar Epitaxial CompositeTransistor de NPN | SANYO |
| 53818 | 2SC3066 | APLICAÇÕES DIFERENCIAIS DO AMPÈRE | SANYO |
| 53819 | 2SC3066 | APLICAÇÕES DIFERENCIAIS DO AMPÈRE | SANYO |
| 53820 | 2SC3066 | APLICAÇÕES DIFERENCIAIS DO AMPÈRE | SANYO |
| 53821 | 2SC3067 | Do Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN APLICAÇÕES DIFERENCIAIS do Ampère | SANYO |
| 53822 | 2SC3067 | Do Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN APLICAÇÕES DIFERENCIAIS do Ampère | SANYO |
| 53823 | 2SC3067 | Do Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de NPN APLICAÇÕES DIFERENCIAIS do Ampère | SANYO |
| 53824 | 2SC3068 | Do transistor planar epitaxial do silicone de NPN hFE elevado, aplicações do amplificador da Geral-Finalidade da Baixo-Freqüência | SANYO |
| 53825 | 2SC3069 | Do transistor planar epitaxial do silicone de NPN hFE elevado, aplicações do amplificador da Geral-Finalidade da Baixo-Freqüência | SANYO |
| 53826 | 2SC3070 | Do transistor planar epitaxial do silicone de NPN hFE elevado, aplicações do amplificador da Geral-Finalidade da Baixo-Freqüência | SANYO |
| 53827 | 2SC3071 | Do transistor planar epitaxial do silicone de NPN hFE elevado, aplicações do amplificador da Geral-Finalidade da Baixo-Freqüência | SANYO |
| 53828 | 2SC3072 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações médias do amplificador de poder das aplicações do flash do estroboscópio | TOSHIBA |
| 53829 | 2SC3073 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 53830 | 2SC3073 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 53831 | 2SC3073 | PROCESSO EPITAXIAL DO SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 53832 | 2SC3074 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações atuais elevadas do switching | TOSHIBA |
| 53833 | 2SC3075 | Tipo difundido triplo do silicone NPN do transistor (processo) do PCT regulador de switching e aplicações do conversor das aplicações DC-AC do conversor das aplicações DC-DC do switching da alta tensão | TOSHIBA |
| 53834 | 2SC3076 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do switching do poder das aplicações do amplificador de poder | TOSHIBA |
| 53835 | 2SC3077 | Si NPN planar. Amplificador UHF, mixer. | Panasonic |
| 53836 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
| 53837 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
| 53838 | 2SC3080 | 2SC3080 | ROHM |
| 53839 | 2SC3080M | 2SC3080 | ROHM |
| 53840 | 2SC3080M | 2SC3080 | ROHM |
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