| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 568921 | IRF841 | TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO PODER DA PORTA DE SILICONE TMOS DE N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | Motorola |
| 568922 | IRF841 | MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568923 | IRF841 | TRANSISTOR N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568924 | IRF841 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568925 | IRF841 | N-canal HEXFET, 450V, 8A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568926 | IRF841F1 | N-canal HEXFET, 450V, 4.5A | SGS Thomson Microelectronics |
| 568927 | IRF842 | TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO PODER DA PORTA DE SILICONE TMOS DE N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | Motorola |
| 568928 | IRF842 | MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568929 | IRF842 | TRANSISTOR N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568930 | IRF843 | TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DO PODER DA PORTA DE SILICONE TMOS DE N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE | Motorola |
| 568931 | IRF843 | MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 568932 | IRF843 | TRANSISTOR N-CHANNEL | International Rectifier |
| 568933 | IRF8910 | 20V dual MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
| 568934 | IRF8915 | 20V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote SO-8 | International Rectifier |
| 568935 | IRF9130 | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA | International Rectifier |
| 568936 | IRF9130 | MOSFET DO PODER DE P-CHANNEL | SemeLAB |
| 568937 | IRF9130 | 12A/ -100V/ Mosfet Do Poder Da P-Canaleta De 0.30 Ohm | Intersil |
| 568938 | IRF9130 | MOSFETS DO PODER DE P-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568939 | IRF9130SMD | MOSFET DO PODER DE P-CHANNEL PARA APLICAÇÕES DE HI.REL | SemeLAB |
| 568940 | IRF9131 | MOSFETS DO PODER DE P-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568941 | IRF9131 | -10 E -12, -80V e -100V, 0,30 e 0,40 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 568942 | IRF9132 | MOSFETS DO PODER DE P-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568943 | IRF9132 | -10 E -12, -80V e -100V, 0,30 e 0,40 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 568944 | IRF9133 | MOSFETS DO PODER DE P-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 568945 | IRF9133 | -10 E -12, -80V e -100V, 0,30 e 0,40 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 568946 | IRF9140 | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA | International Rectifier |
| 568947 | IRF9140 | MOSFET DO PODER DE P-CHANNEL | SemeLAB |
| 568948 | IRF9140 | 19A/ -100V/ Mosfet Do Poder Da P-Canaleta De 0.200 Ohm | Intersil |
| 568949 | IRF9140 | 100 V, potência MOSFET P-canal | Samsung Electronic |
| 568950 | IRF9141 | -19A E -15, -80V e -100V, 0,20 e 0,30 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 568951 | IRF9141 | 60 V, potência MOSFET P-canal | Samsung Electronic |
| 568952 | IRF9142 | -19A E -15, -80V e -100V, 0,20 e 0,30 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 568953 | IRF9142 | 100 V, potência MOSFET P-canal | Samsung Electronic |
| 568954 | IRF9143 | -19A E -15, -80V e -100V, 0,20 e 0,30 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 568955 | IRF9143 | 60 V, potência MOSFET P-canal | Samsung Electronic |
| 568956 | IRF9150 | P Canaliza o Mosfet | Microsemi |
| 568957 | IRF9150 | 25A/ -100V/ Mosfet Do Poder Da P-Canaleta De 0.150 Ohm | Intersil |
| 568958 | IRF9151 | -25, -80V E -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 568959 | IRF9230 | -200V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote deTO-204AA | International Rectifier |
| 568960 | IRF9230 | MOSFET DO PODER DE P-CHANNEL | SemeLAB |
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