| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 569281 | IRFD9110 | 0.7A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da P-Canaleta De 1.200 Ohm | Intersil |
| 569282 | IRFD9120 | -100V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de HEXDIP | International Rectifier |
| 569283 | IRFD9120 | 1.0A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da P-Canaleta De 0.6 Ohm | Intersil |
| 569284 | IRFD9210 | -200V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de HEXDIP | International Rectifier |
| 569285 | IRFD9220 | -200V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de HEXDIP | International Rectifier |
| 569286 | IRFD9220 | 0.6A/ 200V/ Mosfet Do Poder Da P-Canaleta De 1.500 Ohm | Intersil |
| 569287 | IRFDC20 | 600V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de HEXDIP | International Rectifier |
| 569288 | IRFE024 | 60V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569289 | IRFE024 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 569290 | IRFE110 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569291 | IRFE120 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569292 | IRFE130 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569293 | IRFE130 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 569294 | IRFE210 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569295 | IRFE220 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569296 | IRFE230 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569297 | IRFE230 | 200V Vdss N-Channel FET (transistor de efeito de campo) | SemeLAB |
| 569298 | IRFE310 | 400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569299 | IRFE320 | 400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569300 | IRFE330 | 400V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569301 | IRFE420 | 500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569302 | IRFE430 | 500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569303 | IRFE9024 | -60V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569304 | IRFE9110 | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569305 | IRFE9110 | MOSFET DO PODER DE P-CHANNEL | SemeLAB |
| 569306 | IRFE9120 | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569307 | IRFE9130 | -100V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569308 | IRFE9130 | MOSFET DO PODER DE P-CHANNEL | SemeLAB |
| 569309 | IRFE9210 | -200V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569310 | IRFE9220 | -200V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569311 | IRFE9230 | -200V escolhem o MOSFET da P-Canaleta hi-Rel-Rel em um 18-pino pacote de LCC | International Rectifier |
| 569312 | IRFE9230 | MOSFET DO PODER DE P-CHANNEL | SemeLAB |
| 569313 | IRFEA240 | 200V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em uns 28-pinos pacote de LCC | International Rectifier |
| 569314 | IRFF024 | 60V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
| 569315 | IRFF110 | 100V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-205AF | International Rectifier |
| 569316 | IRFF110 | 3.5A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.600 Ohm | Intersil |
| 569317 | IRFF110 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 3.5A atual. | General Electric Solid State |
| 569318 | IRFF110 | N-canal porta-mode aprimoramento silício TMOS pequenos sinais de efeito de campo transistor. | Motorola |
| 569319 | IRFF111 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Dreno contínua 3.5A atual. | General Electric Solid State |
| 569320 | IRFF112 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Dreno contínua 3.0A atual. | General Electric Solid State |
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