| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 63201 | 2SK56 | Fet Da Junção 8Ii-N-HANNEL | Unknow |
| 63202 | 2SK56 | Fet Da Junção 8Ii-N-HANNEL | Unknow |
| 63203 | 2SK560 | Fet do MOS Da N-Canaleta Do Silicone | Renesas |
| 63204 | 2SK578 | PARA FORA DA LINHA CIRCUITO DE BQUIVALRN | TOSHIBA |
| 63205 | 2SK578 | PARA FORA DA LINHA CIRCUITO DE BQUIVALRN | TOSHIBA |
| 63206 | 2SK579 | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63207 | 2SK579 | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63208 | 2SK579L | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63209 | 2SK579L | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63210 | 2SK579S | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63211 | 2SK579S | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63212 | 2SK58 | Tipo Fet Duplo Da Junção Da N-Canaleta Do Silicone (Uso C.C.-À-DC-to-VHF, Ruído Baixo) | SONY |
| 63213 | 2SK58 | Tipo Fet Duplo Da Junção Da N-Canaleta Do Silicone (Uso C.C.-À-DC-to-VHF, Ruído Baixo) | SONY |
| 63214 | 2SK580 | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63215 | 2SK580 | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63216 | 2SK580L | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63217 | 2SK580L | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63218 | 2SK580S | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63219 | 2SK580S | SWITCHING DE ALTA VELOCIDADE DO PODER | Hitachi Semiconductor |
| 63220 | 2SK583 | Aplicações Análogas Do Interruptor do Mosfet Do Silicone Do Realce Da N-Canaleta | SANYO |
| 63221 | 2SK591 | TRANSISTOR DE PODER DO EFEITO DO CAMPO DO MOS DE N-CHANNEL | NEC |
| 63222 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63223 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63224 | 2SK596 | APLICAÇÕES DO MICROFONE DO CAPACITOR | SANYO |
| 63225 | 2SK596 | APLICAÇÕES DO MICROFONE DO CAPACITOR | SANYO |
| 63226 | 2SK596A | V (GDO): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; aplicação microfone condensador | SANYO |
| 63227 | 2SK596B | V (GDO): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; aplicação microfone condensador | SANYO |
| 63228 | 2SK596C | V (GDO): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; aplicação microfone condensador | SANYO |
| 63229 | 2SK596D | V (GDO): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; aplicação microfone condensador | SANYO |
| 63230 | 2SK596E | V (GDO): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; aplicação microfone condensador | SANYO |
| 63231 | 2SK601 | Dispositivo small-signal - fETs small-signal - fETs do MOS | Panasonic |
| 63232 | 2SK606 | Tipo Silicon N Canal Junção | Panasonic |
| 63233 | 2SK608 | Tipo Silicon N Canal Junção | Panasonic |
| 63234 | 2SK611 | TRANSISTOR DE PODER DO EFEITO DO CAMPO DO MOS | NEC |
| 63235 | 2SK611 | TRANSISTOR DE PODER DO EFEITO DO CAMPO DO MOS | NEC |
| 63236 | 2SK612 | Transistor De Poder Do Efeito Do Campo do MOS | Unknow |
| 63237 | 2SK612 | Transistor De Poder Do Efeito Do Campo do MOS | Unknow |
| 63238 | 2SK612 | V (DSS): 100V; 20W; poder silício canal-N comutação rápida MOS FET. Para uso industrial | NEC |
| 63239 | 2SK612-Z | Transistor De Poder Do Efeito Do Campo do MOS | Unknow |
| 63240 | 2SK612-Z | Transistor De Poder Do Efeito Do Campo do MOS | Unknow |
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