Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
889761 | MMBT1010LT1 | Tensão Baixa Do Saturation | Leshan Radio Company |
889762 | MMBT1010LT1 | MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DOS TRANSISTOR DE EXCITADOR DA FINALIDADE GERAL DE PNP | Motorola |
889763 | MMBT1010LT1 | Baixa Tensão de saturação do PNP de silício transistores do motorista | ON Semiconductor |
889764 | MMBT1010LT1-D | Transistor De Excitador Baixos Do Silicone Da Tensão PNP Do Saturation | ON Semiconductor |
889765 | MMBT1010T1 | MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DOS TRANSISTOR DE EXCITADOR DA FINALIDADE GERAL DE PNP | ON Semiconductor |
889766 | MMBT1015 | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
889767 | MMBT123S | Transistor Bipolares | Diodes |
889768 | MMBT123S-7 | TRANSISTOR DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO 1A NPN | Diodes |
889769 | MMBT123S-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
889770 | MMBT1815 | Tamanho mini de elementos discretos do semicondutor | SINYORK |
889771 | MMBT200 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | National Semiconductor |
889772 | MMBT200 | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
889773 | MMBT200A | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | National Semiconductor |
889774 | MMBT200A | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
889775 | MMBT2131 | Transistor De Junção Bipolar | ON Semiconductor |
889776 | MMBT2131T1 | Transistor De Junção Bipolar | ON Semiconductor |
889777 | MMBT2131T1-D | Transistor De Junção Bipolar Dos Transistor PNP Da Finalidade Geral (Dispositivo Complementar de NPN: MMBT2132T1/T3) NOTA: A tensão e a corrente são negativas para o transistor de PNP. | ON Semiconductor |
889778 | MMBT2131T3 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
889779 | MMBT2132 | Transistor De Junção Bipolar | ON Semiconductor |
889780 | MMBT2132T1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
889781 | MMBT2132T1-D | Transistor De Junção Bipolar Dos Transistor NPN Da Finalidade Geral (Dispositivo Complementar de PNP: MMBT2131T1/T3) | ON Semiconductor |
889782 | MMBT2132T3 | Transistor De Junção Bipolar | ON Semiconductor |
889783 | MMBT2222 | Transistor do switching de NPN | Philips |
889784 | MMBT2222 | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
889785 | MMBT2222 | Transistor NPN de silício. | Motorola |
889786 | MMBT2222 | 60 V, 600 MA, transistor NPN de silício epitaxial | Samsung Electronic |
889787 | MMBT2222A | Transistor do switching de NPN | Philips |
889788 | MMBT2222A | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | National Semiconductor |
889789 | MMBT2222A | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Fairchild Semiconductor |
889790 | MMBT2222A | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL NPN | ST Microelectronics |
889791 | MMBT2222A | Transistor Pequeno Do Sinal (NPN) | Vishay |
889792 | MMBT2222A | Transistor de NPN | Microsemi |
889793 | MMBT2222A | Transistor Bipolares | Diodes |
889794 | MMBT2222A | Transistor Pequeno Do Sinal (NPN) | General Semiconductor |
889795 | MMBT2222A | Transistor Pequeno Do Sinal (NPN) | Comchip Technology |
889796 | MMBT2222A | Amplificador Da Finalidade Geral de NPN | Micro Commercial Components |
889797 | MMBT2222A | Transistor Do Switching Do Silicone de NPN | Infineon |
889798 | MMBT2222A | SILICONE DO TRANSISTOR NPN DA FINALIDADE GERAL | Zowie Technology Corporation |
889799 | MMBT2222A | NPN transistor de comutação | NXP Semiconductors |
889800 | MMBT2222A | Vce = 10V transistor | MCC |
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