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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
889761MMBT1010LT1Tensão Baixa Do SaturationLeshan Radio Company
889762MMBT1010LT1MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DOS TRANSISTOR DE EXCITADOR DA FINALIDADE GERAL DE PNPMotorola
889763MMBT1010LT1Baixa Tensão de saturação do PNP de silício transistores do motoristaON Semiconductor
889764MMBT1010LT1-DTransistor De Excitador Baixos Do Silicone Da Tensão PNP Do SaturationON Semiconductor
889765MMBT1010T1MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DOS TRANSISTOR DE EXCITADOR DA FINALIDADE GERAL DE PNPON Semiconductor
889766MMBT1015Tamanho mini de elementos discretos do semicondutorSINYORK
889767MMBT123STransistor BipolaresDiodes
889768MMBT123S-7TRANSISTOR DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DO 1A NPNDiodes
889769MMBT123S-7-FTransistores BipolaresDiodes
889770MMBT1815Tamanho mini de elementos discretos do semicondutorSINYORK
889771MMBT200Amplificador Da Finalidade Geral de PNPNational Semiconductor
889772MMBT200Amplificador Da Finalidade Geral de PNPFairchild Semiconductor
889773MMBT200AAmplificador Da Finalidade Geral de PNPNational Semiconductor
889774MMBT200AAmplificador Da Finalidade Geral de PNPFairchild Semiconductor
889775MMBT2131Transistor De Junção BipolarON Semiconductor
889776MMBT2131T1Transistor De Junção BipolarON Semiconductor
889777MMBT2131T1-DTransistor De Junção Bipolar Dos Transistor PNP Da Finalidade Geral (Dispositivo Complementar de NPN: MMBT2132T1/T3) NOTA: A tensão e a corrente são negativas para o transistor de PNP.ON Semiconductor
889778MMBT2131T3Transistor Da Finalidade GeralON Semiconductor



889779MMBT2132Transistor De Junção BipolarON Semiconductor
889780MMBT2132T1Transistor Da Finalidade GeralON Semiconductor
889781MMBT2132T1-DTransistor De Junção Bipolar Dos Transistor NPN Da Finalidade Geral (Dispositivo Complementar de PNP: MMBT2131T1/T3)ON Semiconductor
889782MMBT2132T3Transistor De Junção BipolarON Semiconductor
889783MMBT2222Transistor do switching de NPNPhilips
889784MMBT2222Amplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
889785MMBT2222Transistor NPN de silício.Motorola
889786MMBT222260 V, 600 MA, transistor NPN de silício epitaxialSamsung Electronic
889787MMBT2222ATransistor do switching de NPNPhilips
889788MMBT2222AAmplificador Da Finalidade Geral de NPNNational Semiconductor
889789MMBT2222AAmplificador Da Finalidade Geral de NPNFairchild Semiconductor
889790MMBT2222ATRANSISTOR PEQUENO DO SINAL NPNST Microelectronics
889791MMBT2222ATransistor Pequeno Do Sinal (NPN)Vishay
889792MMBT2222ATransistor de NPNMicrosemi
889793MMBT2222ATransistor BipolaresDiodes
889794MMBT2222ATransistor Pequeno Do Sinal (NPN)General Semiconductor
889795MMBT2222ATransistor Pequeno Do Sinal (NPN)Comchip Technology
889796MMBT2222AAmplificador Da Finalidade Geral de NPNMicro Commercial Components
889797MMBT2222ATransistor Do Switching Do Silicone de NPNInfineon
889798MMBT2222ASILICONE DO TRANSISTOR NPN DA FINALIDADE GERALZowie Technology Corporation
889799MMBT2222ANPN transistor de comutaçãoNXP Semiconductors
889800MMBT2222AVce = 10V transistorMCC
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