| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 927961 | NE1619DS | HECETA4 temperatura e monitor de tensão | NXP Semiconductors |
| 927962 | NE2001-VA20 | Perto do printhead térmico da borda (8 pontos/milímetro) | ROHM |
| 927963 | NE2001-VA20A | Cartão Plástico Térmico De Printheads > De Fro > NE200 * -, Série 300*-VA.@ | ROHM |
| 927964 | NE2002-VA10A | Cartão Plástico Térmico De Printheads > De Fro > NE200 * -, Série 300*-VA.@ | ROHM |
| 927965 | NE2004-VA10A | Cartão Plástico Térmico De Printheads > De Fro > NE200 * -, Série 300*-VA.@ | ROHM |
| 927966 | NE202 | Fet ULTRA BAIXO Da JUNÇÃO Da FAIXA HETERO Do RUÍDO K | NEC |
| 927967 | NE20200 | 12 GHz,, ultra baixo ruído K-band junção hetero FET | NEC |
| 927968 | NE20200-1.4 | 12 GHz,, ultra baixo ruído K-band junção hetero FET | NEC |
| 927969 | NE20248 | Fet ULTRA BAIXO Da JUNÇÃO Da FAIXA HETERO Do RUÍDO K | NEC |
| 927970 | NE20283A | Fet ULTRA BAIXO Da JUNÇÃO Da FAIXA HETERO Do RUÍDO K | NEC |
| 927971 | NE20283A-1.4 | 12 GHz,, ultra baixo ruído K-band junção hetero FET | NEC |
| 927972 | NE202XX | Fet ULTRA BAIXO Da JUNÇÃO Da FAIXA HETERO Do RUÍDO K | NEC |
| 927973 | NE202XX-1.4 | Fet ULTRA BAIXO Da JUNÇÃO Da FAIXA HETERO Do RUÍDO K | NEC |
| 927974 | NE20300 | 12 GHz, de baixo ruído ultra Ku-band junção hetero FET | NEC |
| 927975 | NE20383A | 12 GHz, de baixo ruído ultra Ku-band junção hetero FET | NEC |
| 927976 | NE21800 | FAIXA BAIXA Gaas MESFET Do RUÍDO X | NEC |
| 927977 | NE21800 | FAIXA BAIXA Gaas MESFET Do RUÍDO X | NEC |
| 927978 | NE21889 | FAIXA BAIXA Gaas MESFET Do RUÍDO X | NEC |
| 927979 | NE21889 | FAIXA BAIXA Gaas MESFET Do RUÍDO X | NEC |
| 927980 | NE219 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 927981 | NE21900 | 8 GHz, 20 V, NPN transistor de silício de alta freqüência | NEC |
| 927982 | NE21903 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 927983 | NE21908 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 927984 | NE21912 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 927985 | NE21935 | TRANSISTOR DO SILICONE HI FREQUNCY DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 927986 | NE21935 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 927987 | NE21937 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 927988 | NE21987 | TRANSISTOR DA ALTA FREQÜÊNCIA DO SILICONE DE NPN | NEC |
| 927989 | NE22100 | TRANSISTOR MÉDIO DO PODER UHF-VHF DE NPN | NEC |
| 927990 | NE22100 | TRANSISTOR MÉDIO DO PODER UHF-VHF DE NPN | NEC |
| 927991 | NE22120 | TRANSISTOR MÉDIO DO PODER UHF-VHF DE NPN | NEC |
| 927992 | NE22120 | TRANSISTOR MÉDIO DO PODER UHF-VHF DE NPN | NEC |
| 927993 | NE23300 | Super baixo ruído HJ FET (espaço qualificado). | NEC |
| 927994 | NE23383B | Amplificador Super baixo ruído. N-canal HJ FET (espaço qualificado). | NEC |
| 927995 | NE24200 | C à MICROPLAQUETA BAIXA SUPER do AMPLIFICADOR N-CHANNEL HJ-FET do RUÍDO da FAIXA do ka | NEC |
| 927996 | NE24283 | Ultra baixo ruído pseudomórfico HJ FET (espaço qualificado). | NEC |
| 927997 | NE25000 | 60 GHz, de alta performance GaAs dual-gate MESFET | NEC |
| 927998 | NE25118 | FINALIDADE GERAL DUAL-GATE GaAS MESFET | NEC |
| 927999 | NE25118-T1 | FINALIDADE GERAL DUAL-GATE GaAS MESFET | NEC |
| 928000 | NE25137 | PORTA DUPLA GAAS MESFET DA FINALIDADE GERAL | NEC |
| | | |
