|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



2SA1015 Manufaturado perto:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versión española para esta página Russian Version Romanian Version
Veja todos os datasheets de TOSHIBATipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador do estágio de excitador das aplicações do amplificador da finalidade geral de freqüência audio Pdf da folha de dados do download 2SA1015 datasheet do
TOSHIBA
pdf
116 kb
Veja todos os datasheets de Micro ElectronicsTRANSISTOR DO SILICONE DE PNP Pdf da folha de dados do download 2SA1015 datasheet do
Micro Electronics
pdf
80 kb
Veja todos os datasheets de USHA India LTDAmplificador de baixa frequência. Tensão colector-base: 50V = VCBO. Tensão coletor-emissor: 50V = VCEO. Tensão emissor-base dissipação Vebo = -5V.Collector: Pc (max) = 400mW. Pdf da folha de dados do download 2SA1015 datasheet do
USHA India LTD
pdf
104 kb
2SA1013Vista 2SA1015 a nosso catálogo2SA1015(L)



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com